АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

ЗАДАЧА 2.7

Читайте также:
  1. C) Любой код может быть вирусом для строго определенной среды (обратная задача вируса)
  2. БУДУЩЕЕ – ПЕРЕД ВАМИ СТОИТ НЕЛЕГКАЯ ЗАДАЧА. В ОДИНОЧКУ ВЫ С НЕЙ НЕ СПРАВИТЕСЬ.
  3. Вопрос 10. Задача
  4. Вопрос 18. Задача
  5. Вопрос 24. Задача
  6. Вопрос 26. Задача
  7. Вопрос 36. Задача
  8. Вопрос 38. Задача
  9. Вопрос 40. Задача
  10. Вопрос 42. Задача
  11. Вопрос 6. Задача
  12. Задача 1

Розрахунок каскаду проводиться для області середніх частот. Спочатку вибирають значення основних елементів каскаду ЕК і RК з урахуванням граничних параметрів транзистора:

 

Відтак на вихідних ВАХ транзистора будують лінію навантаження за постійним струмом, що визначається рівнянням

 

UКЕ = ЕК – IК (RК+RE)

 

На цій лінії вибирають точку спокою, координатами якої є , , , a також на вхідній ВАХ. Через точку спокою і точку з координатами [ RН' ] проводять лінію навантаження за змінним струмом. Тут і далі RН' . Якщо точка спокою знаходиться приблизно посередені відрізка лінії навантаження за змінним струмом, що відповідає активному режиму роботи транзистора, і при цьому колекторний струм насичення , то вибір точки

спокою вважається викінченим. У протилежному випадку положення точки спокою слід уточнити. При значній нелінійності початкової ділянки вхідної ВАХ (поблизу точки відсички) використовувати цю ділянку для роботи транзистора недоцільно.

Задання точки спокою частіше за все здійснюється за допомогою базового

подільника напруги R1–R2, значення резисторів якого вибирають із таких співвідношень:

; ;

;

; .

 

Резистор RE у колі зворотнього зв’язку для температурної стабілізації точки

cпокою

Вибір ємностей розділових конденсаторів CP1, і CP2 та конденсатора кола зворотного зв’язку CE проводиться так, щоб їх опорами в області середніх частот можна було знехтувати, а коефіцієнт частотних спотворень на ніжній межі частотного діапозону не перевищував задане значення МН.

Із співвідношень:

;

;

;

визначають мінімальні значення Cp1, Cp2, CE. Для цього значальний коефіцієнт частотних спотворень MH потрібно розподілити на співмножники MHC1, MHC2 і MHCE таким чином, щоб значення ємностей були якомога однаковими.

Ємність CE повинна також задовільняти умові:

.

Опором RГ джерела вхідного сигналу потрібно задатися. Джерелом вхідного сигналу часто є попередній каскад підсилення, вихідний опір якого визначається колекторним навантаженням. Тому можна прйняти, наприклад, RГ RK .

Аналітичний розрахунок проводиться у такій послідовності.

Визначаються: коефіцієнти підсилення каскаду за струмом і за напругою

k i ; kU = k i ;

 

вхідний і вихідний опори каскаду

RВХ=R1 || R2 || h11; Rвих =RК || (1/ h22);

 

параметри вихідного сигналу

Im вх = Um / RBX; Im вих = k i Im вх;

Um вих = Im вих RH ; Pвих = 0,5Im вих Um вих;

 

коефіцієнт корисної дії

= Pвих /(EK IK0).

 

Графо-аналітичний розрахунок підсилювача проводиться за вхідними і вихідними ВАХ транзистора шляхом послідовної побудови часових залежностей UВХ, IБ, IК , UВИХ. Усі побудови виконуються у масштабі. За часовими діаграмами визначаються коефіцієнти підсилення за струмом і за напругою. Із графо­-аналітичного розрахунку можна знайти найбільшу амплітуду вихідного сигналу, при якому транзистор не виходить за межи активного режиму, і відповідну амплітуду вхідного сигналу.

Смуга пропускання підсилювача визначається знизу і зверху межовою частотою. Верхня межова частота знаходиться із співвідношень:

 

;

де CK і параметри транзистора.

Фазові спотворення на нижній межі смуги пропускання визначаються фазовими зсувами, зумовленними кондесаторами схеми:

а на верхній межі – частотними параметрами транзистора:

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)