АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Базовая технология полупроводниковых интегральных МС

Читайте также:
  1. AHD технология: качество 720p/1080p по коаксиалу на 500 метров без задержек и потерь
  2. CASE-технология
  3. CASE-технология создания информационных систем
  4. Базовая аппаратная конфигурация компьютера
  5. Базовая архитектура ПК
  6. Базовая модель Солоу (без технологического прогресса).
  7. Базовая модель структурного построения производственных систем
  8. Базовая модель управления персоналом
  9. Билет № 6. Технология организации путешествий.
  10. Биотехнология в охране окружающей среды: определение и основные направления.
  11. Биотехнология как наука может рассматриваться в двух временных и сущностных измерениях: современном и традиционном, классическом.

 

Диффузно – планарных.

Внедрение примесей определенного типа в полупроводниковые пластину, а все операции происходят на поверхности слоя пластины.

Заготовка – пластина монокристалл кремния с дырочной электропроводностью.

 

А) - дырочная проводимость

 
 

 

 


В слое SiO2 с помощью фотолитографии вытравливают окна. Через эти окна путем диффузии вводят атомы примеси донора, одновременно окисляя кремнием.

 

Б)

 
 


окно

 
 

 


в)

 
 

 


n коллекторная область

p

 

 

Таким образом, получим p-n переход.

Вторичным вскрытием окон меньших размеров (г) в окиси и послед. диффузии примеси акцептора формируют р область, выполняя роль базы будущего транзистора.

 

Г)

 

p

 

n

 

p

 

 

В результате 3-го цикла диффузия и окисления получает область эмиттеров.

Операция, предшествующая сборке – разрезание на кристаллы, операция разрезания пластин называется скрайбированием.

 

Требование к пластине:

1.различ дислокации не более 10 см.

2.пробег пластины не более 8 микрон

3.неплоскость и клиновидность

4.В пределах партии должна быть толщина не более 5 микрон.

 

Недостатки:

Имеют маленькую точность, большая стоимость технологического процесса.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |


Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.008 сек.)