ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Вопрос 1

Общие сведения об электротехнических материалах. Классификация электротехнических материалов.

Виды связи.

Основными элементарными частицами, из которых строятся все известные нам вещества, являются протоны, нейтроны и электроны.

Из протонов и нейтронов состоит атомное ядро, электроны за­полняют оболочки атома, компенсируя положительный заряд ядра. Строение ядра атома, периодичность заполнения оболочек электро­нами можно находить с помощью таблицы Д. И. Менделеева.

Газы, жидкие и твердые тела состоят из атомов, молекул или ионов. Размеры атомов около 0,1 нм, размеры положительных ионов, получившихся из атомов, лишившихся части электронов, меньше, чем размеры атомов, а размеры отрицательных ионов, присоеди­нивших дополнительные электроны, больше, чем размеры соответ­ствующих атомов. Ионами могут быть и группы атомов, потеряв­ших или присоединивших электроны.

Молекулы газов содержат различное число атомов. Так, напри­мер, гелий, аргон, неон —одноатомные газы; водород, азот, кисло­род, оксид углерода состоят из двухатомных молекул; углекислый газ, водяной пар —из трехатомных. Молекула аммиака построена из четырех атомов, а метана — из пяти. В зависимости от строения внешних электронных оболочек атомов могут образовываться раз­личные виды связи.

Наиболее часто встречаются молекулы, в которых существуют ковалетные и ионные химические связи.

Ковалентная связь возникает при обобществлении электронов двумя соседними атомами. Химическая связь такого типа осуществ­ляется в молекулах Н2, О2 и СО (рис. В-1), а также наблюдается в молекулах, образованных металлоидными атомами, например в молекуле хлора и др.

Молекулы, в которых центры одинаковых по величине положи­тельных и отрицательных зарядов совпадают, являются неполяр­ными. Если же в отдельных молекулах центры противоположных по знаку зарядов не совпадают и находятся на некотором расстоянии Друг от друга, то такие молекулы называются полярными или ди-польными.

Полярная молекула характеризуется дипольным моментом, ко­торый определяется произведением заряда и расстояния между Центрами положительного и отрицательного зарядов.

Ковалентная связь может быть как в молекулах (в трех агрегат­ных состояниях вещества), так и между атомами, образующими ре­шетку кристалла (например, алмаз, кремний, германий). Ковалент-

ной связью могут удерживаться не только одинаковые атомы I Cl —CJ,

Второй вид связи — ионная связь — определяется силами при­тяжения между положительными и отрицательными ионами. Твердые тела ионной структуры характеризуются повышенной механической прочностью и относительно высокой температурой плавления. Типичными примерами ионных кристаллов являются галогениды щелочных металлов.

Из рис. В-2 видна плотная упаковка ионов хлористого натрия и неплотная — хлористого цезия.

Третий вид связи —металлическая связь, которая приводит также к образованию твердых кристаллических тел. Металлы можно рассматривать как системы, построенные из расположенных в узлах решетки положительно заряженных ионов, находящихся в среде свободных электронов (рис. В-3). Притяжение между положитель­ными атомными остовами и электронами является причиной моно­литности металла. Наличием свободных электронов объясняется высокая электропроводность и теплопроводность металла, что также является причиной блеска металлов. Ковкость металла объясняется перемещением и скольжением отдельных слоев атомных остовов.

Четвертый вид связи — молекулярная связь (связь Ван-дер-Ваальса). Такая связь существует в некоторых веществах между молекулами с ковалентными внутримолекулярными связями. Меж­молекулярное притяжение в этом случае обусловливается согласо­ванным движением валентных электронов в соседних молекулах (рис. В-4). В любой момент времени электроны максимально удалены друг от друга и максимально приближены к положительным зарядам. При этом силы притяжения валентных электронов положительно заряженными остовами соседних молекул оказываются сильнее сил 10

взаимного отталкивания электронов внешних орбит. Связь Ван-дер-Ваальса наблюдается между молекулами некоторых веществ, напри­мер парафина, имеющих низкую температуру плавления, свидетель­ствующую о непрочности их кристаллической решетки.

Строение и дефекты твердых тел. Кристаллическая решетка — это присущее кристаллическому состоянию вещества регулярное расположение частиц (атомов, ионов, молекул), характеризующееся периодической повторяемостью, в трех измерениях. Полное описа­ние кристаллической решетки дается пространственной группой, параметрами элементарной ячейки, координатами атомов в ячейке. В этом смысле понятие кристаллической решетки эквивалентно понятию атомарной структуры кристалла. Русский ученый Е. С. Фе­доров почти на 40 лет раньше, чем были найдены методы рентгено-структурного анализа, рассчитал возможные расположения частиц в кристаллических решетках различных веществ. Он подразделил кристаллы на 32 класса симметрии, объединяющих 230 возможных пространственных групп. Кристаллы могут различаться по двойному лучепреломлению, по пьезо- и пироэлектрическим свойствам, обра­зованию адсорбционных центров, работе выхода электронов и т. п.

Причина образования каким-либо элементом или соединением данной пространственной решетки в основном зависит от размеров атома и электронной конфигурации его внешних оболочек.

Известно, что наиболее высоким как ближним (в пределах эле­ментарной ячейки), так и дальним (на больших расстояниях) по­рядком расположения частиц отличаются химические соединения, находящиеся в твердом (кристаллическом) состоянии. Говорить о той или иной степени ближнего и дальнего порядка расположения частиц (рис. В-5) можно лишь для твердых растворов кристалличе­ских веществ, а также стеклообразного состояния. Упорядоченное и неупорядоченное состояние можно наблюдать и у высокомолеку­лярных — полимерных материалов. Практически полное отсутствие порядка в расположении частиц должно быть у аморфных тел.

В электротехнике широко применяются материалы как с упоря­доченным, так и неупорядоченным строением.

«Дефекты» строения кристаллической решетки, определяющие особые физические свойства вещества, широко используются для получения самых различных материалов, которые применяются, в частности, в люминесцентной технике (кристаллофосфоры для осветительных целей, оптические преобразователи, светящиеся крас­ки и др.).

К дефектам кристаллического твердого тела относятся любые нарушения периоДичности электростатического поля кристалли­ческой решетки (рис. В-6): нарушение стехиометрического состава, наличие посторонних примесей, механически напряженные участки структуры, дополнительные кристаллографические плоскости (дис­локации, трещины» поры) и т. д.

По своей природе перечисленные дефекты могут быть или тепло­выми или «биографическими». Последние связаны с технологическим процессом получения данного материала.

Классификация веществ по электрическим свойствам. Все веще­ства в зависимости от их электрических свойств относят к диэлек­трикам, проводникам или полупроводникам. Различие между про­водниками, полупр°в°Аниками и диэлектриками наиболее наглядно можно показать с помощью энергетических диаграмм зонной теории твердых тел.

Исследование спектров излучения различных веществ в газо­образном состоянии, когда атомы расположены относительно друг друга на больших расстояниях, показывает, что для атомов каждого вещества характерны вполне опреде­ленные спектральные линии. Это говорит о наличии определенных энергетических состояний {уровней) для разных атомов. Часть этих уровней (рис. В-7) запол­нена электронами в нормальном, невозбужденном состоянии атома на других уровнях электроны могут находиться только посл< того, как атом испытает внешнее энергетическое воздействие при этом он возбуждается. Стремясь прийти к устойчивом; состоянию, атом излучает избыток энергии в момент возвращение электронов на уровни, при которых энергия атома минимальна При переходе газообразного вещества в жидкость, а затем npi образовании кристаллической решетки твердого тела все имеющиес: у данного типа атомов электронные уровни (как заполненные элек тронами, так и незаполненные) несколько смещаются вследстви действия соседних атомов друг на друга. Таким образом, из отдель ных энергетических уровней уединенных атомов в твердом тел образуется целая полоса —зона энергетических уровней.

Диэлектриками будут такие материалы, у которых запрещенна зона настолько велика, что электронной электропроводности в обьг ных случаях не наблюдается.

Полупроводниками будут вещества с более узкой запрещение зоной, которая может быть преодолена за счет внешних энергетич ских воздействий.

Проводниками будут материалы, у которых заполненная эле: тронами зона вплотную прилегает к зоне свободных энергетически уровней или даже перекрывается ею. Вследствие этого электро-в металле свободны, т. е. могут переходить с уровней заполнение зоны на незанятые уровни свободной зоны под влиянием слаб< напряженности приложенного к проводнику электрического пол При отсутствии в полупроводнике свободных электронов (п] нуле Кельвина) приложенная к нему разность электрических п тенциалов не вызовет тока. Если извне будет подведена энерги достаточная для переброса электронов через запрещенную зону, т став свободными, электроны смогут перемещаться под действи< электрического поля, создавая электронную электропроводное полупроводника.

В заполненной зоне, откуда ушел электрон, образовалась «эле тронная дырка», а потому в полупроводнике начнется другое, «эст фетное», движение электронов, заполняющих образовавшуюся дыр* причем под воздействием электрического поля дырка будет двигать

в направлении поля, как эк­вивалентный положительный заряд. Процесс перехода элек­тронов в свободное состояние сопровождается и обратным явле­нием, т. е. возвратом электронов в нормальное состояние. В резуль­тате в веществе наступает равновесие, т. е. число электронов, пе­реходящих в свободную зону, становится равным числу электронов, возвращающихся обратно в заполненную зону.

С повышением температуры число свободных электронов в полу­проводнике возрастает, а с понижением температуры до абсолют­ного нуля —убывает вплоть до нуля. Таким образом, электропро­водность веществ при различных температурах может быть суще­ственно различной.

Энергию, необходимую для перехода электрона в свободное со­стояние или для образования дырки, может доставить не только тепловое движение, но и другие источники энергии, например свет, поток электронов и ядерных частиц, электрические и магнитные поля, механические воздействия и т. д.

Электрические свойства определяются условиями взаимодействия атомов вещества и не являются непременной особенностью данного атома. Например, углерод в виде алмаза является диэлектриком, а в виде графита обладает большой проводимостью.

Примеси и дефекты кристаллической решетки сильно влияют на электрические свойства твердых тел.

Классификация веществ по магнитным свойствам. По магнит­ным свойствам материалы подразделяются на слабомагнитные (диа-магнетики и парамагнетики) и сильномагнитные (ферромагнетики и ферримагнетики).

Диамагнетиками являются вещества с магнитной проницаемостью fir < 1, значение которой не зависит от напряженности внешнего магнитного поля. К ним относятся водород, инертные газы, боль­шинство органических соединений, каменная соль и некоторые металлы (медь, цинк, серебро, золото, ртуть), а также висмут, гал­лий, сурьма.

К парамагнетикам относятся вещества с магнитной проницае­мостью jiir> 1, также не зависящей от напряженности внешнего магнитного поля. К ним относятся кислород, оксид азота, соли железа, кобальта, никеля и редкоземельных элементов, щелочные металлы, алюминий, платина.

Диамагнетики и парамагнетики имеют магнитную проницае­мость, близкую к единице, и по магнитным свойствам нашли себе ограниченное применение в технике.

У сильномагнитных материалов \хг > 1 и зависит от напряжен­ности магнитного поля. К ним относятся железо, никель, кобальт и их сплавы, сплавы хрома и марганца, гадолиний, ферриты различ­ного состава.

В дальнейшем изложении проводится рассмотрение диэлектри­ческих, проводниковых, полупроводниковых и магнитных материа­лов, применяемых в электротехнике.

ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Поиск по сайту: