АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Экспериментальная часть. На поверхности раздела жидкость-газ поверхностное натяжение (s) может быть точно измерено

Читайте также:
  1. I ЧАСТЬ
  2. I. ПАСПОРТНАЯ ЧАСТЬ
  3. II часть
  4. II. Основная часть
  5. II. Основная часть
  6. II. Практическая часть
  7. III часть урока. Выставка, анализ и оценка выполненных работ.
  8. III. Творческая часть. Страницы семейной славы: к 75-летию Победы в Великой войне.
  9. III. Творческая часть. Страницы семейной славы: к 75-летию Победы в Великой войне.
  10. IV. ИНФОРМАЦИОННАЯ ЧАСТЬ
  11. Аналитическая часть
  12. Аналитическая часть.

На поверхности раздела жидкость-газ поверхностное натяжение (s) может быть точно измерено. Одним из наиболее распространенных методов измерения s является метод наибольшего давления пузырька, осуществляемый в приборе Ребиндера. Схема этого прибора представлена на рис. 6.1. К поверхности жидкости подводится трубка с капиллярным кончиком. Разность давлений создается посредствам разрежения над жидкостью водоструйным насосом. Под действием разности давлений образуется воздушный пузырек. Давление, при котором пузырек проскакивает через поверхностный слой, прорывая его, пропорционально величине поверхностного натяжения на границе жидкость – газ. Число пузырьков не должно превышать 5-8 в минуту; при большей скорости равновесные условия не достигаются и результаты оказываются неправильными. При измерении давления по манометру берут максимальный разлет в обоих коленах, и записывают сумму показаний (h).

 

Рис. 6.1. Установка Ребиндера

Между давлением (р) в момент проскакивания пузырька и величиной поверхностного натяжения (s) существует зависимость:

 

,

 

где r – радиус капиллярного кончика.

Для двух жидкостей с поверхностными натяжениями s0 и s1 при определении давления с одним и тем же капиллярным кончиком получаем:

 

и .

 

Путем деления этих уравнений друг на друга получаем:

 

,

 

где h0 и h1 – показания манометра.

Если поверхностное натяжение одной жидкости при температуре опыта известно (в нашем случае – это вода), то:

 

, (6.3)

 

где s, s 0 – поверхностные натяжения исследуемой жидкости и дистиллированной воды; h, h0 – показания манометра для исследуемой жидкости и воды соответственно.

Для расчетов поверхностное натяжение воды принимаем при температуре 200С: s0 = 72,75×10-3 .

Для выполнения работы готовят пять растворов бутилового спирта различной концентрации, измеряют поверхностное натяжение каждого из них, результаты заносят в таблицу.

По результата измерений вычерчивают изотерму поверхностного натяжения в координатах s = f (c).

 

 

Таблица

 

Растворы С4Н9ОН концентрации с, Показание в левом колене манометра, hл, см Показание в правом колене манометра, hпр см Сумма показателей манометра, h, см , s×103,
Н2О       h0 = hл + hпр = s×103 = 72,75
0,05          
0,10          
0,15          
0,20          
0,25          

 

 

6.2. Вычисление величины адсорбции бутилового спирта

Пользуясь уравнением Гиббса (6.2), по изотерме поверхностного натяжения легко построить соответствующую изотерму адсорбции. Для этого кривую s = f (c) надо продифференцировать по концентрации. Это можно сделать графически. Возьмем какую-нибудь точку на изотерме поверхностного натяжения (s) и проведем через нее касательную и прямые, параллельные осям координат, как это показано на рис. 6.2. Отрезок, отсекаемый на оси ординат концентраций (z), деленный на отрезок абсциссы, отсекаемый параллельно оси ординат (с), равен , т.е.

 

 

Подставив это значение в уравнение (6.2), получим:

 

(6.4)

 

Определив для ряда точек изотермы поверхностного натяжения соответствующие значения величины (Г), легко построить изотерму адсорбции (рис. 6.2).

 

 

Рис. 6.2. Построение изотермы адсорбции по изотерме поверхностного натяжения

 

Вопросы для защиты лабораторной работы 6

6.1. Чем и почему обладает любая поверхность раздела фаз?

6.2. Почему надо уменьшать свободную поверхностную энергию?

6.3. 3а счет чего процесс адсорбции уменьшает свободную поверхностную энергию?

6.4. Что такое поверхностно-активные вещества? Правило Дюкло-Траубе.

6.5. Принцип работы прибора для измерения поверхностного натяжения Ребиндера.

6.6. Как по изотерме поверхностного натяжения построить изотерму адсорбции?

 

 

Лабораторная работа 7. Электрокинетические свойства коллоидных систем

Явления относительного движения фаз вдоль поверхности раздела, обусловленные внешним электрическим полем или приводящие к возникновению электрического поля, называются электрокинетическими явлениями.

Движение под действием внешнего электрического поля свободных частиц дисперсной фазы в дисперсионной среде называется электрофорезом, а движение жидкости относительно неподвижной твердой фазы называется электроосмосом.

Возникновение электрического поля при механическом движении свободных частиц дисперсной фазы в дисперсионной среде называется потенциалом седиментации (эффект Дорна), а при движении жидкости относительно неподвижной твердой фазы называется потенциалом протекания (течения).

Изучение этих явлений имеет большое и разностороннее значение для теории процессов, происходящих в поверхностном слое (в частности, в вопросах устойчивости дисперсных систем), и широко используется при решении различных практических задач.

В основе этих явлений лежит наличие на поверхности раздела фаз двойного электрического слоя из ионов, возникающего либо в результате избирательной адсорбции одного из ионов электролита, находящегося в растворе, либо за счет ионизации поверхностных молекул веществ.

Рассмотрим образование двойного электрического слоя на поверхности частиц дисперсной фазы коллоидного раствора, называемых мицеллами. Внастоящее время нет возможности учесть влияние на строение мицеллы всех процессов, обусловленных сложными ионно-молекулярными взаимодействиями на поверхности раздела двух фаз в растворе. Если исключить влияние растворителя, в котором образуется коллоидная система, то упрощенные схемы мицеллы золя, например, иодида серебра, полученные при сливании сильно разбавленных растворов AgNO3 и KI, можно представить следующим образом (рис. 7.1).

 

AgNO3 + KI = AgI¯ + KNO3

 

Галогениды серебра нерастворимы в воде и при смешении растворов AgNO3 и KI должны выпадать в осадок. Однако, если смешивать разбавленные растворы и брать один из реагентов в избытке, то AgI не выпадает в осадок, а образуется коллоидный раствор. Образующиеся при этом кристаллы AgI настолько маленькие, что тепловые силы (силы броуновского движения) больше силы тяжести, и поэтому они не оседают. Но они уже имеют реальную поверхность раздела фаз, которая обладает свободной поверхностной энергией, так как на ее создание затрачена работа (G(s) = s S). При избытке раствора KI в растворе присутствуют ионы К+, NO и I-, которые могут адсорбироваться на поверхности кристалликов AgI, так как это приведет к уменьшению свободной поверхностной энергии за счет уменьшения s. По правилу Панета – Фаянса на поверхности твердого вещества предпочтительно адсорбируются ионы, способные достраивать его кристаллическую решетку.

Таким образом, в данном примере на поверхности AgI будут адсорбироваться ионы I-. В результате этого процесса кристалл AgI, называемый ядром мицеллы, заряжается отрицательно. Ионы, создающие этот заряд, называются потенциалопределяющими. Отрицательно заряженная частица (агрегат) начнет притягивать из раствора ионы с противоположным знаком К+ (противоионы); образуется двойной электрический слой. Большая часть противоионов очень прочно

 

Рис. 7.1. Схема строения мицеллы AgI при избытке а) KI, б) AgNO3

притягиваются к агрегату, образуя адсорбционный слой противоионов. Агрегат вместе с адсорбционным слоем называют частицей или гранулой. Часть противоионов не помещается в адсорбционном слое из-за теплового движения, они располагаются на более далеком расстоянии от ядра, образуя так называемый диффузный слой противоионов. Толщина диффузного слоя во много раз больше толщины адсорбционного слоя, он менее плотный и более неустойчивый.

Состав мицеллы может быть изображен схематически следующим образом. При избытке KI золь иодида серебра может быть представлен формулой

гранула

 
 


ядро

 
 


мицелла

 

Потенциалопределяющие ионы nI- придают грануле отрицательный заряд, так как n>(n-x).

При избытке AgNO3 гранулы имеют положительный заряд, поскольку потенциалопределяющими ионами являются Ag+:

 

 

Таким образом, на поверхности раздела фаз образуется двойной электрический слой, строение которого представлено на рис. 7.2. Возникающий при этом термодинамический потенциал (j) резко падает в адсорбционном слое и постепенно до нуля в диффузном слое. Та часть всего потенциала, которая приходится на диффузный слой, называется электрокинетическим потенциалом или z - потенциалом (дзета – потенциалом). Т.е. разность потенциалов между подвижной (диффузной) и неподвижной (адсорбционной) частями двойного электрического слоя называется электрокинетическим или z - потенциалом.

Если коллоидную частицу поместить в постоянное электрическое поле, то приложенной разности потенциалов хватит, чтобы сорвать неплотный диффузный слой мицеллы. Небольшое количество ионов, составляющих диффузный слой, пойдет к противоположно заряженному электроду, но их трудно определить количественно. Заряженная гранула (мицелла без диффузного слоя) двигается к другому электроду, где ее легко обнаружить из-за большого количества. Создается представление об односторонности процесса электрофореза.

 

 

Рис. 7.2. Схема двойного электрического слоя. а – адсорбционный слой, в – диффузный слой, z - электрокинетический потенциал.

 

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.008 сек.)