|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Выращивание из растворов. Метод повышения концентрации летучего компонента раствора
Метод насыщения отличается от метода испарения тем, что в 1-м случае мы получаем соединения предельного состава АВ(1-б),а во 2-м АВ(1+б). Сочетание 2-х методов позволяет установить границы области существования многих соединений, и позволит определить природу дефектов, которые обуславливают отклеивание от стехиометрического состава АВ.
Процесс идет в откаченной ампуле из плавленого кварца, в верхней части вварено плоское стекло из оптического кварца. Подложка, на которую наращивается эпитаксиальный слой покрывается тонкой пленкой нелетучего А. Под ложка располагается в верхней части недалеко от смотрового стекла. В нижней части ампулы располагается небольшая навеска летучего В. Амплитуда, после откачки, запаивается и помещается в 2-х-зонную печь. Печь ӀӀ-для создания требуемого давления паров В. Печь Ӏ- для обеспечения Т проведения процесса. Если по высоте А не будет grad Т, то в результате взаимодействия пара В с жидкостью А поверхность подложки покроется поликристаллической пленкой АВ. Рост монокристаллического слоя не будет обеспечен. Чтобы создать необходимый grad рекомендуется использовать радиационный нагрев поверхности жидкости А.Скорость нагрева печей регулируют таким образом, чтобы обеспечить равенство Р пара В над пленкой и над чистый компонентом. При достижении необходимой Т,Р паров чистого В устанавливается выше равновесного и включают источник нагрева. При током равномерном нагреве поверхности происходит равномерное ее растворение подложки АВ в расплаве А и при этом осуществляется очистка и сглаживание поверхности роста. При выращивании эпитаксиальных пленок все примеси, которые присутствуют на поверхности и внедр-я в растущий кристалл - недостаток. Достоинство: легко получит плоско –параллельную конфигурацию, которая при равномерной скорости нагрева до конечной Т обеспечивает рост пленки равномерной толщины.
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.) |