АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Робота ключа у динамічному режимі

Читайте также:
  1. А. Обязанности финансовых менеджеров включают в себя привлечение источников финансирования, их оптимизацию и эффективное управление активами.
  2. А. Рішення на застосування одного з перших трьох режимів радіаційного захисту
  3. Автоматические выключатели (Автоматы)
  4. Автоматических воздушныхвыключателей
  5. Административные правонарушения, заключающиеся в неисполнении обязанностей, предусмотренных законодательством о налогах и сборах и связанных со сроками исполнения.
  6. Алгоритм обмена ключа Диффи-Хеллмана
  7. Альфа1-глобулины включают большинство белков острой фазы
  8. Антиокислители - вещества, включающиеся в процесс автоокисления и образующие стабильные промежуточные продукты, т.е. вещества, блокирующие цепную реакцию.
  9. Б. Рішення на застосування четвертого або п'ятого режимів радіаційного захисту
  10. Баковые масляные выключатели
  11. бап. Пайдалану режимін шектеу
  12. Больного помещают в отдельную палату, что должно исключать возможность контакта его (и средств ухода за ним) с другими больными.

Перехід ключа з положення «розімкнуто» (стан лог.1) у положення «замкнуте» (стан лог.0) і назад не може відбуватися миттєво, навіть якщо на вхід ключової схеми подавати ідеальні прямокутні імпульси.

Виникнення перехідних процесів пояснюється як інерційними властивостями самого транзистора, так і наявністю паразитних (монтажних) ємностей схеми, що заряджаються і розряджаються через резистори схеми за кінцевий час.

Еквівалентна схема, що враховує інерційні властивості ключа, і графіки перехідних процесів у різноманітних точках ключової схеми показані на рис. 2.4 і рис. 2.5


 

Рисунок 2.4 – Еквівалентна схема ключа

 

Uвх t1 t2 t3 t4 t5 t6

 

t

 

Ik

 

t

 

Uk

 

t

0 tз tф tр tсп

 

tзт10 tзт01

 

Рисунок 2.5 - Графіки перехідних процесів ключової схеми

 

У початковий момент (t = 0) напруга на вході схеми від джерела сигналу менше порога відмикання і транзистор знаходиться в області відсікання. У момент часу t = t1 на вході схеми з'являється позитивний перепад напруги, амплітуда котрого більше граничного значення відмикання базового кола транзистора Uп”. Даний перепад напруги викликає появу струму в колі бази транзистора, проте колекторний струм починає зростати з деякою затримкою (момент t2).

Виникнення затримки при вмиканні транзистора пояснюється процесом заряду бар'єрних ємностей транзистора Ckb і Cbe струмом бази через опір Rb.

Формування фронту вихідного сигналу здійснюється в інтервалі t2 -t3, при цьому транзистор відкривається і переходить в активний режим.

Тривалість фронту (tф) вихідного сигналу визначається: інерційними властивостями самого транзистора (параметр tb); бар'єрною ємністю його колекторного переходу (Ск) і паразитною ємністю навантаження Сн. Інтервал часу t1 - t3 визначає час переключення схеми зі стану логічної одиниці в стан логічного нуля (tзт10).

У момент часу t3 колекторний перехід зміщується в прямому напрямку і транзистор переходить в режим насичення. Зростання колекторного току припиняється, проте заряд в області бази продовжує зростати, прямуючи до стаціонарного значення.

У момент часу t4 вхідна напруга, що відпирає транзистор, закінчується і виникає зворотний струм бази. Проте, колекторний струм і вихідна напруга схеми не змінюються протягом інтервалу часу t4 - t5 за рахунок розсасування надлишкового заряду, накопиченого в області бази транзистора при насиченому ключі.

Формування спаду вихідного сигналу починається в момент часу t5, коли закінчується розсасування надлишкового заряду в області бази і колекторний перехід зміщується в зворотньому напрямку. При цьому транзистор переходить з області насичення в активну область. Колекторний струм починає зменшуватися по експоненційному закону і до моменту часу t6 досягає нульового значення. Транзистор закривається.

Інтервал часу t4 - t6 визначає час переключення схеми зі стану логічного нуля в стан логічної одиниці (tзт01). На практиці вимірювання часів затримки tзт10 та tзт01 виконуються за рівнем половинної амплітуди сигналів (рис.2.5).


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)