|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Продолжение таблицы 8.4
Однако для некоторых коммутационных элементов, в частности, кристаллов БИС и СБИС, характеризующихся наличием ряда компоновочных уровней, суммирование длин связей имеет свои особенности, связанные с учетом (или не учетом) числа внешних связей, количества видов уровней и их входимости в компоновочные уровни более высокого ранга. Учет числа внешних связей во внутренних уровнях компоновки (напр., в случае СБИС – это уровни i = 1…3, а в случае БИС – это уровни i = 1, 2) не требуется, т.к. он обеспечивается на последних, завершающих уровнях. При решении данной задачи суммарная длина связей на i ‑м уровне компоновки определялась с использованием выражений: S Lсвi = lсвi Nсвi – для внутренних уровней БИС и СБИС; S Lсвi = lсвi S Nсвi – для внешних уровней БИС (i = 3) и СБИС (i = 4). 2. Определение суммарной длины связей для каждого отдельного i ‑го уровня компоновки в объеме всего коммутационного элемента (в данном случае в объеме всего кристалла) проведено с использованием выражения: . 3. Общее суммирование длин связей устройства по всем уровням компоновки в объеме всего коммутационного элемента выполнено в соответствии с выражением: . 4. При определении плотности трасс в коммутационных элементах учитывались следующие значения эффективности их использования (Эi) в конструкциях: Эi = 0,7 – в кристаллах БИС и СБИС; Эi = 0,5 – в кремниевой подложке МКМ и МПП ФБ. 5. Плотность трасс в конструкциях коммутационных элементов () определялась по формулам (6.10) и (6.11) с учетом общей суммарной длины связей в коммутационном элементе, его площади и принятой эффективности использования трасс. 6. Результаты расчетов приведены в таблице 8.5.
Таблица 8.5. Результаты расчета суммарных длин связей и плотности трасс в конструкциях коммутационных элементов применительно к 3‑м вариантам построения обрабатывающего устройства ЭВМ. Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.007 сек.) |