Радиационная стойкость
К РЭС, работающим в условиях ИИ, предъявляют особые требования по радиационной стойкости (РС). Под РС понимают способность РЭС нормально функционировать в процессе и после воздействия ИИ.
Особенности воздействия ИИ на материалы и элементы РЭС.
Воздействие потока быстрых нейтронов на полупроводники приводит к уменьшению ряда качественных показателей.
Время жизни неосновных носителей заряда (ННЗ).
,
где – время жизни неосновных носителей заряда после облучения;
– время жизни неосновных носителей заряда до облучения;
Ф – интегральный поток облучения;
Kr – радиационная константа времени жизни неосновных носителей.
Из формулы видно, что с ростом интенсивности потока излучения время жизни ННЗ монотонно убывает. Из теории полупроводников известно, чтовремя жизни электронов зависит от избыточной концентрации и скорости изменения этой концентрации по формуле:
, – избыточная концентрация электронов в полупроводнике.
– скорость рекомбинации. 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | Поиск по сайту:
|