АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Концентрация свободных носителей заряда

Читайте также:
  1. Биполярные транзисторы с пониженным накоплением заряда в режиме насыщения
  2. В СВОБОДНЫХ ЭКОНОМИЧЕСКИХ ЗОНАХ (СЭЗ)
  3. Введение поправки на температуру свободных концов.
  4. Взаимодействие зарядов. Закон Кулона. Закон сохранение электрического заряда.
  5. Взаимодействие заряженных тел. Закон Кулона. Закон сохранения электрического заряда.
  6. Взаимодействие заряженных тел. Электрический заряд. Закон сохранения заряда. Закон Кулона.
  7. Влияние различных факторов на ширину запрещенной зоны и подвижность носителей
  8. Гармонические колебания и их характеристики. Дифференциальное уравнение свободных гармонических колебаний.
  9. Движение заряда в магнитном поле. Сила Лоренца.
  10. Движение заряда в электрическом поле
  11. Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них
  12. Для точечного заряда.

Изменение концентрации происходит по экспоненциальному закону

 

Подвижность неосновных носителей заряда влияет на удельную проводимость и удельное сопротивление

,

где σ – удельная проводимость;

ρ – удельное сопротивление.

Радиационные эффекты способствуют уменьшению концентрации основных носителей заряда, снижают их подвижность. Все эти процессы приводят к росту удельного сопротивления полупроводника. Уменьшение подвижности и концентрации основных носителей заряда, а также снижение времени жизни неосновных носителей заряда, вызывает уменьшение коэффициента передачи тока базы β, росту токов утечки и напряжения насыщения биполярного транзистора, а также изменению предельно допустимого обратного напряжения диода и ёмкости перехода. Изменение этих параметров компонентов ИС влияет на статические и динамические характеристики микросхем.

       
 
 
   

 


Диапазон отказов

 

 

Глудкин О.П. Методы и устройства испытаний РЭС, ЭВС - М.: Высш.

шк., 1991.-335 с.


[1] Перечень основных терминов и определений приведен в приложении


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)