А.Р. Таирова, А.И. Кузнецов

Принципы получения материалов с заданными свойствами. Использование различных физических и химических процессов при синтезе веществ заданного состава (систематика Ормонта). Принципы очистки веществ при физических равновесиях жидкость–пар, тверое–пар, твердое–жидкое, а также с применением химических превращений. Получение веществ в виде порошков, пленок, монокристаллов. Общие представления о зарождении и росте кристаллов. Закономерности формирования и роста кристаллов из растворов, расплавов и паровой фазы [1, 18, 19, 25].

Выращивание монокристаллов. Получение монокристаллов из расплавов методами Бриджмена–Стокбаргера, Чохральского, Вернейля, бестигельной зонной плавкой. Выращивание монокристаллов из растворов–расплавов с применением приемов испарения летучего растворителя, направленной кристаллизации, градиентной зонной плавки. Использование фазовых диаграмм состояния для управления процессами выращивания монокристаллов. Выращивание монокристаллов из паровой фазы (газотранспортные реакции, процессы термического разложения, восстановления, диспропорционирования, обратимые реакции окисления–восстановления в процессах близкого и дальнего переноса). Применение монокристаллов в электронной и лазерной технике, в оптике [1, 19, 26].

Получение пленок и покрытий. Вакуумные методы получения пленок; методы термического испарения, катодного и ионно–плазменного распыления, неравновесные процессы в плазме. Особенности состава, структуры, свойств пленок, получаемых этими методами. Формирование пленок при химических реакциях в газовой фазе (пиролиз металлоорганических соединений, реакции разложения, восстановления, диспропорционирования). Кинетика роста пленок в зависимости от способа получения эпитаксиальных пленок (вакуумные методы, молекулярная, жидкостная и газовая химическая эпитаксия). Получение диэлектрических пленок с использованием реакций А_тв + В_газ = АВ_тв методом гидролиза из растворов, по золь–гель технологии [1, 35].

Химическое осаждение пленок металлов из растворов (реакции контактного вытеснения, диспропорционирования, химического восстановления). Возможности осаждения пленок с регулируемой структурой на подложках различной химической природы. Селективное получение металлов и сплавов. Получение пленок оксидов и гидроксидов при использовании анодных и анодно-плазменных процессов. Получение халькогенидов [12, 38].

Применение пленок и покрытий, имеющих различную химическую природу и структуру, в производстве радио- и электронной аппаратуры, для изготовления приборов, в процессах записи информации, для нанесения защитно-декоративных покрытий [12, 24, 35, 38].

Процессы легирования твердых тел. Варьирование механических, электрических, защитных и других свойств массивных монокристаллических и пленочных материалов в результате легирования. Микроструктура и особенности распределения примесей в легированных твердых телах. Методы легирования (плавление, диффузия, ионное легирование, легирование в процессе выращивания монокристаллов и пленок) [15, 24].

А.Р. Таирова, А.И. Кузнецов

Поиск по сайту: