Методы разрушающего и неразрушающего контроля дефектов

Метод визуального сканирования и традиционные методы, такие как оптическая и электронная микроскопия на сегодняшний день являются не достаточно точными. Поэтому для качественного обнаружения скрытых дефектов используют методы разрушающего и неразрушающего контроля (рис. 1). Технология разрушающего контроля основана на приложении к образцу определенного управляемого воздействия и последующего разрушения образца. Технология неразрушающего контроля использует методы получения информации о внутренней структуре изделий без какого-либо механического воздействия.

Рис. 1. Схема типового сборочного производства изделий электроники с указанием методов контроля дефектов

Разрушающий контроль в технологии сборки изделий электроники применяется, как правило, в середине производственного цикла, после операций монтажа кристаллов и микросварки проволочных выводов. Самыми распространенными методами механического разрушающего контроля считаются тесты «на отрыв» и «на сдвиг» — как для кристаллов, так и для соединений выводов кристалла с контактными площадками на подложке или рамке (рис. 2). Суть метода заключается в анализе значений критических нагрузок и составлении четкой статистической картины, на базе которой технолог делает те или иные корректировки режимов производства.

Рис. 2. Методы разрушающего контроля качества соединений: а) проволочного вывода на сдвиг; б) кристалла на сдвиг; в) проволочного вывода на отрыв; г) шарикового вывода на отрыв

Качество паяных соединений по внешнему виду проверяется при помощи бинокулярного микроскопа. Соединения с гладкой блестящей поверхностью без трещин и следов перегрева, с полностью заполненным зазором между паяемыми деталями считаются высококачественными. Одновременно отмечаются такие дефекты, как холодный непрогретый спай, избыток или недостаток припоя.

Визуальным контролем обнаруживаются трещины, появившиеся из-за возникновения значительных внутренних напряжений при посадке кристалла в корпус. Недостатками визуального контроля являются: ограниченные возможности зрения, человеческий фактор, невозможность выявления скрытых или потенциальных дефектов.

На заключающих стадиях сборки либо когда разрушающий контроль уже считается дорогим, применяются, как правило, два основных метода обнаружения скрытых дефектов: рентгеновский контроль и ультразвуковая микроскопия.

Рентгеноскопия может использоваться для выявления внутреннего строения образца. Плотные материалы лучше поглощают рентгеновские лучи, но из-за того, что воздух имеет очень низкую плотность, расслоения, трещины и дефекты соединений могут не обнаружиться. К тому же рентгеноскопирующие системы работают в режиме сквозной передачи и обеспечивают скорее составное изображение полной толщины и образца, а не картину особенностей слоя.

Для выявления скрытых дефектов в изделиях и анализа напряженно-деформированного состояния материалов применяют акустическую микроскопию с фото- или телерегистрацией результатов анализа. Акустическая микроскопия использует высокочастотные (от 5 до 200 МГц) УЗ-колебания и осуществляется методами сквозной передачи и отраженного сигнала. Метод отраженного сигнала, требующий доступа только к одной стороне изделия, позволяет обнаруживать скрытые дефекты при посадке кристаллов, разварке проволочных соединений, герметизации электронных модулей.

Ультразвуковая инспекция обладает широким арсеналом типов сканирования. Часть из них направлена на обнаружение миниатюрных (до 200 А) скрытых дефектов, что невозможно при других видах неразрушающего контроля. Различные типы сканирования, приведенные на рис. 3, позволяют получать достоверную информацию о любой точке или плоскости объекта, формировать послойные и трехмерные модели изделий, регистрируя при этом такие дефекты, как: трещины в кристаллах и подложках; отслоения и пуситоты в присоединенных кристаллах; дефекты контактных выступов; различные дефекты в инкапсуляции и заливке «перевернутых» (Flip Chip) кристаллов.

Рис. 3. Классификация методов неразрушающего контроля

В акустической микроскопии и сканирующей лазерной микроскопии первичная информация получается в результате генерации, взаимодействия и приема чисто акустических колебаний, а в лазерной фотоакустической микроскопии (ФАМ) она возникает при оптическом взаимодействии импульсного лазерного излучения с поверхностью твердого тела. Амплитуда генерируемых акустических колебаний в ФАМ определяется, во-первых, коэффициентом оптического поглощения лазерного излучения в каждой точке поверхности сканируемого объекта и, во-вторых, мощным фоновым сигналом, который возникает вследствие удаления с поверхности объекта различных окислов и загрязнений при первичном сканировании лазерным лучом. Однако оптические, акустические и фоновые составляющие принимаемого фотоакустического сигнала создают на результирующей топограмме достаточно сложные изображения, для расшифровки которых требуется опыт и специальные методические разработки.

Метод лазерной микроинтерферометрии контроля качества монтажа и оценки напряженно-деформированного состояния (НДС) кристаллов ИМС применяется для контроля рельефа поверхности и оценки размера дефектов на поверхности. Основным прибором, использующим интерферометрический принцип при измерениях высоты, глубины, профиля элементов микроструктур и толщины пленок, является лазерный микроинтерферометр.

Поиск по сайту: