ИМС на МДП структуре

Конструкция ИМС на МДП-транзисторах представ­ляет собой кремниевую пластину с электропроводностью n- или p-типа, в которой по планарной технологии создают МДП-структуры, объединенные между собой согласно элект­рической схеме с помощью металлических проводников, напыленных на поверхность защитного слоя из двуокиси кремния. Наиболее распространены МДП-структуры с изо­лированным затвором, в которых диэлектриком служит двуокись кремния. Особенностью конструкции МДП-ИМС является использование толь­ко МОП-структур (МОП-тран­зисторы служат в качестве активных и пассивных эле­ментов), отсутствие изоляции между отдельными структу­рами, применение для внут­рисхемных соединений как металлизированных пленоч­ных проводников, так и высоколегированных диффузи­онных областей.

Получили распространение ИМС на МДП-транзисторах с инду­цированными каналами n- и р-типов, а также ИМС на МДП-транзисторах с кана­лами взаимодополняющих типов электропроводности (КМДП-ИМС), конструкции которых показаны на рис. 3.6, а, б. Повышение плот­ности упаковки МДП-ИМС и их быстродействия достигается при использовании в ка­честве основного элемента МОП-транзисторов с малой дли­ной канала, размещенного в V-образных углублениях, по­лучаемых анизотропным травлением кремния (V-МОП- транзисторов). ИМС на основе V-МОП-транзисторов (рис. 3.6, в) являются наиболее перспективными среди МДП-ИМС высокой степени интеграции.

Следует отметить, что конструкция МДП-ИМС обеспе­чивает большие плотность элементов и функциональную плотность, чем конструкция ИМС на биполярных транзисто­рах. Это объясняется следующим: площадь, занимаемая МОП-транзистором на кристалле, на два порядка меньше площади под биполярный транзистор; при использовании МДП-структур не требуется изоляция между элемента ми; для биполярного транзистора требуются три контакта металл — кремний, в то время как для МДП-транзистора — только два.

Поиск по сайту: