АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Скорость роста эпитаксиальных слоев

Читайте также:
  1. F. С. Гіповолемія проста
  2. G – темп зростання нац. доходу; S –частка заощаджень в НД; C- капіталоємність продукції
  3. G — долгосрочные темпы роста денежного потока.
  4. L.3.2. Процессы присоединения частиц. Механизмы роста.
  5. А22. Чем выше доля ВВП, направляемая на инвестиции, тем при прочих равных условиях выше темп роста ВВП
  6. Анализ соотношения темпов роста производительности труда и средней заработной платы
  7. Анализаторы электростатического отклоняющего типа
  8. Биологические законы роста народонаселения Т.Мальтуса
  9. В данной главе подробно описывается как избавиться от трех вредных привычек при чтении, которые значительно снижают скорость понимания.
  10. В. І. Ленін про закон переважного зростання виробництва засобів виробництва
  11. Відомо, що попит на товар повільно зростає, прибуток від реалізації або відсутній, або незначний наприкінці періоду. На якому етапі життєвого циклу знаходиться товар?
  12. Влияние температуры на скорость химической реакции

В соответствии с приведенным механизмом образования эпитаксиальных слоёв скорость их роста определяется в основном, скоростью доставки вещества, образующего слой на поверхность пластины или подложки, а также скоростью образования и достройки устойчивых зародышей.

Скорость доставки вещества слоя определяется степенью пересыщения этим веществом пространства, окружающего пластину или подложку.

Скорость образования и роста зародышей при определенном количестве доставленных частиц зависит от температуры и от числа ступеней на поверхности пластины или подложки. С увеличением температуры увеличивается скорость перемещения атомов по поверхности, поэтому повышается вероятность "благоприятных встреч" с исходными центрами кристаллизации.

Этим можно объяснить существование так называемой эпитаксиальной температуры, выше которой растут ориентированные монокристаллические эпитаксиальные слои, ниже – разориентированные поликристаллические.

Количество ступеней на поверхности зависит от кристаллографической ориентации подложки и увеличивается при переходе от низкоиндексных к высокоиндексным плоскостям.

На низкоиндексных плоскостях скорость роста эпитаксиальных слоев увеличиваются в соответствии с рядом

(111) < (100) < (110).

В реальных процессах механизм роста эпитаксиальных слоев усложняется за счет влияния присутствующих на поверхности примесей, наличием различных дефектов и др. Возможны также переориеинтация зародышей роста, рассогласующее влияние подложки или пластины, образование переходного слоя на границе с поверхностью и др.

•15•Методы выращивания эпитаксиальных слоев из парогазовой фазы.

Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом, т. е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки).

По типу получаемых структур эпитаксия может быть разделена на три вида: автоэпитаксию, гетероэпитаксию и хемоэпитаксию.

Если материалы получаемого слоя и подложки идентичны, например, кремний выращивают на кремнии, то процесс называют автоэпитаксиальным или гомоэпитаксиальным.

Если же материалы слоя и подложки различаются (хотя их кристаллическая структура должна быть сходной для обеспечения роста монокристаллического слоя), то процесс называют гетероэпитаксиальным.

Хемоэпитаксия - это процесс ориентированного наращивания, в результате которого образование новой фазы происходит при химическом взаимодействии вещества подложки с веществом, поступающим из внешней среды.

По способу получения эпитаксия подразделяется на осаждение из парогазовой смеси имолекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) – конденсация молекулярных пучков в высоком вакууме.

Газофа́зная эпитаксия — получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро-газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологиикремниевых, германиевых и арсенид-галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Процесс проводится при атмосферном или пониженном давлении в специальных реакторах вертикального или горизонтального типа. Реакция идёт на поверхности подложек (полупроводниковых пластин), нагретых до 400—1200 °C (в зависимости от способа осаждения, скорости процесса и давления в реакторе). Разогрев подложек осуществляется инфракрасным излучением, индукционным или резистивным способом. Понижение температуры процесса ниже предельной для данных конкретных условий осаждения ведет к формированию поликристаллического слоя. С другой стороны, оно дает возможность снизить ширину диффузионной переходной области между эпитаксиальным слоем и подложкой, наличие которой ухудшает характеристики получаемых приборов.

Существуют два основных способа получения эпитаксиальных слоев кремния методом газофазной эпитаксии:

· водородное восстановление тетрахлорида кремния (SiCl4), трихлорсилана (SiHCl3) или дихлорсилана (SiH2Cl2);

· пиролитическое разложение моносилана


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)