АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Эпитаксиальные структуры

Читайте также:
  1. АМТХАУЭРА ИНТЕЛЛЕКТА СТРУКТУРЫ ТЕСТ
  2. Анализ ассортимента, структуры и номенклатуры выпуска продукции
  3. Анализ динамики и структуры активов и пассивов организации
  4. Анализ динамики и структуры затрат на производство
  5. Анализ динамики и структуры необоротных активов
  6. Анализ наличия, движения и структуры основных средств за 2008 г.
  7. Анализ олигополистической структуры и эффективность.
  8. Анализ состава и структуры материальных затрат
  9. Анализ состава, структуры и динамики источников формирования имущества. Оценка рыночной устойчивости предприятия.
  10. Анализ структуры внеоборотных активов.
  11. Анализ структуры затрат на производство
  12. Анализ структуры значения многозначного слова

Для производства ИМС выпускаются полупр-вые кремниевые заготовки – структуры четырех видов: однослойные, многослойные, со скрытыми слоями и гетероэпитаксиальные. По аналогии с обозначением кремния в марках эпитаксиальных структур имеются следующие обозначения: К – кремний; D, Э – дырочный и электронный типы проводимости соответственно; Б, С, М, Ф – легирующие элементы (бор, сурьма, мышьяк, фосфор).

Однослойные эпитаксиальные структуры изготавливаются на кремниевых монокристаллических пластинах n-типа проводимости в процессе наращивания автоэпитаксиального слоя p-типа. Марка однослойных эпитаксиальных структур записывается в виде дроби с числовым коэффициентом, например:

Числовой коэффициент перед дробью обозначает диаметр эпитаксиальной структуры (80 мм), первое число в числителе соответствует толщине эпитаксиального слоя (8 мкм), а в знаменателе – толщине пластины (200 мкм). Вторые числа в числителе и знаменателе соответствуют сопротивлениям эпитаксиального слоя (0,5смОм⋅) и подложки (0,01смОм⋅). Эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями изготавливаются на пластинах Si p-типа проводимости с локальными участками низкоомного n+-кремния путем наращивания автоэпитаксиального слоя n-типа проводимости, легированного фосфором.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)