 |
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
Проанализируйте технологический процесс изготовления биполярных интегральных схем методом разделительной диффузии
б) – термическое оксидирование и первая фотолитография;
в) – локальная диффузия;
г) – эпитаксия;
д) – термическое оксидирование и вторая фотолитография;
е) – разделительная диффузия;
ж) – формирование базовых областей;
з) – формирование эмиттерных и приконтактных областей коллекторов;
и) – формирование металлизации.
Билет
Сравните методы изготовления биполярных ИМС с комбинированной изоляцией («Изопланар 1» и «Изопланар 2»)
Структура «Изопланар 2» Структура «Изопланар 1»
При изготовлении ИМС по процессу «Изопланар I» в качестве исходной используют кремниевую пластину p-типа с эпитаксиальным n-слоем и скрытым n+-слоем. Начинают процесс с наращивания на поверхности пластины слоя нитрида кремния., в котором с помощью фотолитографии формируют окна под изолирующие области. Затем производят травление кремния на глубину, превышающую половину толщины эпитаксиального слоя, после чего окислением вытравленные канавки заполняют оксидом кремния. После удаления слоя нитрида при маскировании оксидом кремния в локализованных островках кремния («карманах») формируют транзисторные структуры и осуществляют металлизацию.
Процесс «Изопланар II» позволяет получать структуры с эмиттерными областями, выходящими боковой стороной на слой изоляции. Приконтактные n+-области коллекторов расположены в самостоятельных карманах, соединенных с эмиттер-базовыми карманами, скрытыми n+-областями. Этот процесс предъявляет менее жесткие требования к точности совмещения слоев, так как окно смещается в диоксид, диффузия эмиттерной примеси в который не происходит. Базовую диффузию можно проводить по всей площади карманов, что также упрощает процесс.
Билет
Приведите пример использования метода «Полипланар»
Рис. 1.10. Технология вертикального анизотропного травления с заполнением канавок поликристаллическим кремнием Si* («полипланар»): а – локальная диффузия акцепторной примеси: б – формирование SiO2 и локальное анизотропное травление; в – защита SiO2 – Si3N4-слоем; г – заращивание V-канавок поликристаллическим кремнием; д – формирование элементов ИМ
Поиск по сайту: