 |
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
Проанализируйте технологию изготовления структур МДП ИМС с фиксированными затворами
Технология изготовления МДП-ИМС на транзисторах с фиксированным затвором основана на том, что после создания толстого окисла и вскрытия окон в нем под активные области выращивают тонкий окисел под затвор, формируют затвор необходимых конфигураций и размеров, а затем формируют области истока и стока. При этом материал затвора служит маской, и тем самым осуществляется процесс самосовмещения затвора
Существует два направления создания МДП-ИМС с фиксированным затвором: диффузия с использованием затвора из кремния или молибдена и ионное легирование с использованием металлического затвора.
1. На подложке с проводимостью n – типа выращивают защитный слой оксида кремния (SiO2) и с помощью фотолитографии вскрывают окна для создания истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика.
2. Выращивают тонкий слой подзатворного диэлектрика
3. Выращивают поликристаллический кремний
4. Создают окна с помощью фотолитографии под исток и сток.
5. Напыление алюминия для создания контактов.
45.Приведите пример изготовления МДП ИМС с металлическими затворами с помощью ионной имплантации.
Ионное легирование в технологии МДП-ИМС применяют в двух целях: 1) для самосовмещения затвора с диффузионными областями; 2) для получения МДП – транзисторов, работающих в режиме обеднения с низким пороговым напряжением. В первом случае для изготовления МДП-ИМС используют комбинированную диффузионную технологию. Согласно этой технологии основные этапы формирования структуры осуществляют по обычной технологии; при этом области затвора и стока создают диффузионным способом до выращивания окисла. Ионное легирование применяют на последней стадии изготовления ИМС, когда создается «встроенный» канал в промежутке между областью стока и металлом затвора, сдвинутое в сторону истока; при этом достигается самосовмещение затвора. Во втором случае ионное легирование также используют на последней стадии изготовления ИМС, когда МДП – структуры уже сформированы. При этом часть структуры подвергают ионному легированию, с помощью которого между p+-областями истока и стока формируется встроенный канал р - типа. Это позволяет получать транзисторы, работающие в режиме обеднения, которые служат в качестве нагрузочных элементов.
Поиск по сайту: