АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

При заполнении уровня и подуровня устойчивость электронной конфигурации возрастает и

Читайте также:
  1. A) Прямую зависимость величины предложения от уровня цены.
  2. Httpd.conf: файл конфигурации сервера
  3. II. Контроль исходного уровня знаний студентов
  4. III. Определение оптимального уровня денежных средств.
  5. А) Оценка уровня подготовленности нового работника.
  6. Агрегативная устойчивость коллоидных растворов. Коагуляция.
  7. Адаптация шрифта до уровня знаковости.
  8. Алгоритмы электронной цифровой подписи
  9. Анализ состава и динамики прибыли от продаж, уровня среднереализационных цен
  10. Анализ технического уровня и качества продукции
  11. Анализ технического уровня и качества продукции
  12. Анализ уровня и динамики финансовых показателей

2) особой устойчивостью обладают заполненные (s2, p6, d10, f14) и наполовину заполненные (p3, d5, f7) конфигурации.

И наоборот, электронные конфигурации, близкие к наиболее устойчивым, весьма неустойчивы и стремятся перейти в устойчивые за счет соседних подуровней. Так, в случае Cr (3d44s1) неустойчивая 3d4 конфигурация переходит в устойчивую 3d5 за счет соседней 4s2, переходящей в 4s1 (очевидно затрата энергии на удаление электрона с 4s-АО меньше выигрыша в энергии при заполнении 3d4-АО до 3d5).

Такие отклонения имеют место во многих случаях:

для d-элементов: Cr, Cu, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Pt, Au;

для f-элементов: La, Gd, Ac, Th, Pa, U, Cm.

Причем нарушение последовательности заполнения АО у актиноидов связано также со сближением 6d- и 5f-подуровней, так что "легкие" актиноиды от Ac до Pu по своим свойствам похожи на d-элементы.

Атомные и ионные радиусы. Размер атомов и ионов не может быть определен точно, так как электронная плотность на их периферии убывает экспоненциально. Поэтому используются так называемые эффективные радиусы (половина расстояния между центрами двух смежных атомов в кристаллах), или орбитальные радиусы атомов (принимают расстояние от ядра до последнего максимума электронной плотности).

Однако закономерности в изменении радиусов атомов и ионов не зависят от способов их определения. Наблюдается периодичность изменения атомных радиусов, особенно у s- и р- элементов. У d- и f- элементов кривая изменения радиусов по периоду имеет более плавный характер.

В одной и той же группе при одинаковом строении внешней валентной оболочки радиусы атомов (или ионов одинакового заряда) возрастают в связи с увеличением числа электронных оболочек. Эта закономерность хорошо выполняется для элементов главных подгрупп (s-, p- элементов).

Однако для побочных подгрупп d-элементов радиус возрастает от элемента первого переходного ряда (от Sс до Zn) ко второму (Y…- Cd), а элемент третьего переходного ряда (Lu..Hf) имеет размер почти равный размеру элемента второго ряда. Это объясняется эффектом f-сжатия: между вторым и третьим рядами происходит заполнение 4f-подуровня третьего снаружи слоя, который слабо экранирует внешние 6s2 электроны от ядра, в то время как заряды ядер элементов третьего ряда намного больше, чем второго, и потому электроны сильно притягиваются к ядру.

На фоне общего уменьшения радиусов внутри каждого периода у ряда атомов имеются отклонения, связанные с существованием устойчивых (s2, p3, p6, d5, d10, f7, f14) и неустойчивых (s1, p1, p4, d1, d4, d6, d9) конфигураций. Например, орбитальный радиус Al (3s23p1) больше, чем у Mg (3s23p0); у Cr (4s13d5) больше, чем у V (4s23d3) и т. д..

Орбитальные конфигурации и первые энергии ионизации атомов. Энергия, необходимая для отрыва электрона от атома называется энергией ионизации (I). В результате ионизации атомы превращаются в положительно заряженные ионы:

Э + I1 ® Э+ + ē.

 

Отрыву первого электрона соответствует первая энергия ионизации I1, второго – вторая I2 и т.д. Энергию ионизации выражают либо в кДж/моль, либо в электрон-вольтах (эВ) (1эВ = 96,49 кДж/моль).

Энергия ионизации зависит от электронной конфигурации атома или иона и ее изменение имеет периодический характер.

Сравним между собой первые энергии ионизации элементов I1(Э). I1 изменяется в зависимости от номера элемента (Z) периодически. При этом максимумы приходятся на устойчивые электронные конфигурации: s2 , p3, p6, d10... а минимумы – на неустойчивые: s1, p1, p4.

Энергия ионизации возрастает по периоду (заряд возрастает, радиус уменьшается). В одной и той же группе энергия ионизации уменьшается с увеличением порядкового номера элемента, что обусловлено увеличением атомных радиусов.

Сродство к электрону и электроотрицательность. Энергия, которая выделяется при присоединении электрона к атому, называется сродством к электрону (Eср) (кДж/моль или эВ).

 

Эº + е = Э- + Еср.

 

Сродство к электрону зависит от положения элемента в ПС. Наибольшие значения сродства к электрону имеют галогены (элементы главной подгруппы VII группы, кислород, сера), наименьшие и даже отрицательные - элементы с электронной конфигурацией s2 (He, Be, Zn) и с полностью или наполовину заполненными р-АО (инертные газы Ne, Ar, Kr, N, P).

Электроотрицательность. Согласно Полингу, “электроотрицательность есть способность атома в молекуле или сложном ионе притягивать к себе электроны, участвующие в образовании связи”. Очевидно, у инертных газов электроотрицательность отсутствует, т.к. внешний уровень в их атомах завершен и устойчив. Электроотрицательность возрастает в направлении слева направо для элементов каждого периода и уменьшается в направлении сверху вниз для элементов каждой главной подгруппы ПC
(рис. 2.2).

Наибольшими значениями c обладают галогены (самой большой электроотрицательностью характеризуется фтор), а наименьшими - щелочные металлы (Fr - наиболее электроположительный).

Обычно c измеряют не в эВ или Дж, а в условных относительных единицах. По шкале Полинга) c (F) принята равной 4,0, а c (Li) = 1.

Пример 3. Учитывая положение в Периодической системе, дать общую характеристику и указать химические свойства фосфора.

Решение. Фосфор находится в третьем периоде, V группе, порядковый номер 15, молекулярная масса 31. Ядро атома состоит из 15 протонов и 31-15 = 16 нейтронов. 15 электронов расположены на трех энергетических уровнях (третий период), валентных электронов - 5 (V группа). Фосфор - элемент главной подгруппы, значит, все валентные электроны расположены на внешнем (третьем) уровне. Полная электронная формула: 1s22s22p63s23p3. Электронная формула валентных электронов:...3s23p3. До начала заполнения следующего уровня (в соответствии с порядком заполнения - это 4s) остается 3 электрона: 3s23p3 + 3е ® 3s23p6; ближайшая устойчивая конфигурация при ионизации атома также отстоит на 3 электрона: 3s23p3-3е ®3s23p0. Следовательно, фосфор может быть и окислителем, и восстановителем. Наличие пяти электронов в наружном слое атома указывает, что это неметалл. Высшая положительная степень окисления равна пяти. Формула высшего оксида - Р2О5.

 

 

Рис. 2.2. Электроотрицательности элементов (по Полингу)

Пример 4. Вывести формулу валентных электронов и графическую электронную формулу элемента, расположенного в 4-м периоде, 5-й группе, побочной подгруппе. Какой это элемент?

Решение. Элемент расположен в четвертом периоде, следовательно, электроны распределены по четырем квантовым уровням (n = 4). В атоме данного элемента имеется 5 валентных электронов (5 группа). Валентные электроны заполняют внешний и предвнешний квантовый уровень (т.к. побочная подгруппа). Таким образом, электронная формула валентных электронов:...4s23d3; графическая формула: Элемент - ванадий (d- элемент).

Пример 5. Исходя из положения металла в периодической системе, объясните, какой из двух гидроксидов является более сильным основанием: Mg(OH)2 или Ва(OH)2; Cd(OH)2 или Sr(OH)2?

Решение. Ва и Мg являются элементами одной группы и имеют схожее электронное строение: Ва...6s2, Mg...3s2. Различие в том, что валентные электроны Mg расположены на третьем квантовом уровне, а Ва - на шестом. Поэтому у Ва сильнее выражены металлические свойства, чем у Mg (энергия ионизации уменьшается сверху вниз, атомный радиус увеличивается от Mg к Ва, связь электронов с ядром ослабевает, атом Ва легче отдает электроны, металлические свойства усиливаются). Следовательно, Ва(OH)2 - более сильное основание, чем Mg(OH)2.

Cd и Sr являются элементами одного периода (5-го) и одной группы (II). Но Cd - элемент побочной подгруппы, а Sr - главной. Электронная формула атомов: 38Sr...4s24p65s2 48Cd...4s24p64d105s2. Общим у этих элементов является наличие на внешнем уровне 2-х электронов. Но у Sr перед ними находится восьмиэлектронная оболочка, а у Cd - восемнадцатиэлектронная. Атомный радиус Sr больше, чем у Cd, а следовательно, энергия ионизации меньше, т.е. атом Sr легче отдает два электрона, чем атом Cd, металлические свойства у Sr выражены сильнее. Таким образом, Sr(OH)2 - более сильное основание, чем Cd(OH)2.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)