Установки для комплексной ионно-плазменной

и ионно-имплантационной обработки деталей

1. Установка МЭШ-31.4. Установка (рис. 4.55) состоит из высоковакуумного агрегата с вынесенными форнасосами и стойки питания и управления. В рабочей камере агрегата расположена карусель с вертикальной осью вращения. Изделия фиксируются на легко снимаемых носителях. После получения в рабочей камере высокого вакуума изделия проходят очистку в высокоэнергетической плазме ионного источника, после чего с помощью магнетрона на изделия могут быть напылены покрытия из 2-х металлов, нитридов и/или оксидов металлов. Базовой комплектацией установки являются изделия фирм Omron (Япония) и Festo (Германия). Установка полностью подготовлена для оснащения PLC -контроллером.

Рис. 4.55. Установка МЭШ-31.4:

1 – вакуумная камера; 2 – стойка питания и управления

Основные технические характеристики установки МЭШ-31.4:

- размер носителей для обрабатываемых изделий 600×150 мм;

- количество носителей на карусели – 12шт;

- длительность откачки/технологического цикла – 10/30 мин;

- управление технологическим процессом – полуавтоматическое;

- управление циклом откачки – ручное с автоматическим отключением;

- технологические устройства:

- ионный источник (3 кВт) – 1 шт.;

- магнетрон (15 кВт) – 2 шт.;

- электрическое смещение на карусель – 300 В, 10 А;

- автоматические регуляторы расхода газа – 3 шт.;

- регулятор давления – автоматический;

- регулятор скорости вращения карусели – автоматический;

- питание 3×380 В / 50 Гц;

- потребляемая мощность 45 кВт;

- расход воды, м³/ч (холодная/горячая) 0,3/0,1;

- габаритные размеры 2500×4000×2300 мм.

2. Установка МЭШ-31.5. Установка (рис. 4.56) состоит из высоковакуумного агрегата с вынесенными форнасосами и стойки питания и управления. В рабочей камере агрегата расположена карусель с вертикальной осью вращения. Изделия фиксируются на легко снимаемых носителях. После получения в рабочей камере высокого вакуума изделия проходят очистку в высокоэнергетической плазме ионного источника, после чего с помощью магнетрона на изделия могут быть напылены покрытия из 2-х металлов, нитридов и/или оксидов металлов.

Базовой комплектацией установки являются изделия фирм Omron (Япония) и Camozzi (Италия). Установка полностью подготовлена для оснащения компьютером.

Рис. 4.56. Установка МЭШ-31.5

Основные технические характеристики установки МЭШ-31.5:

- размер носителей для обрабатываемых изделий – 600×150 мм;

- количество носителей на карусели – 12 шт;

- длительность откачки/технологического цикла – 20/30–60 мин;

- управление циклом откачки – полуавтоматическое;

- управление технологическим процессом – полуавтоматическое;

- управление циклом откачки – ручное с автоматическим отключением;

- технологические устройства:

- ионный источник (3 кВт) – 1 шт.;

- магнетроны (18 кВт) – 2 шт.;

- электрическое смещение на карусель (300 В, 10 А) – 1 шт.;

- регуляторы расхода газа (автоматические) – 3 шт.;

- регулятор давления – автоматический;

- регулятор скорости вращения карусели – автоматический;

- питание 3×380 В / 50 Гц;

- потребляемая мощность 45 кВт;

- расход воды, м³/ч (холодная/горячая) 0,3/0,1;

- габаритные размеры 2500×4000×2300 мм.

Основные отличия установки МЭШ-31.5 от установки МЭШ-31.4:

- расположение 2-х магнетронов снаружи камеры на фланцах, за счет чего увеличился полезный рабочий объем камеры;

- ионный источник расположен на двери камеры;

- в качеcтве форвакуумных насосов вместо ВНМ-18Г используются НВР-90 (25 л/с);

- новые водяные реле протока РПЖ-25-Т вместо РПЖ-8;

- вакуумметрия фирмы Pfeiffer Vacuum.

3. Установка МЭШ-31.5Э/ЭС. Установка МЭШ-31.5Э предназначена для нанесения на керамические, поликоровые, ситаловые, кремнивые подложки резистивных материалов типа РС, нитрида тантала, алюминия, меди методом магнетронного распыления. Установка обеспечивает ионную очистку изделий перед напылением, нанесение покрытий с трех магнетронных распылителей (6 кВт каждый), нагрев изделий до заданной температуры с возможностью последующего контроля, автоматическую регулировку подачи рабочих газов в вакуумную камеру, автоматический цикл откачки вакуумной камеры до рабочего уровня, размещение подложек на карусели с двойным вращением и возможностью регулирования скорости вращения. Базовой комплектацией установки являются изделия фирм Omron, Pfeiffer, Camozzi и др. Установка полностью подготовлена для оснащения компьютером с контроллером ADAM 5000. (Имеется вариант с безмасляной откачкой с использованием форвакуумного безмасляного насоса Anest Iwata и криогенного насоса CTI).

Основные технические характеристики установки МЭШ-31.5Э:

- время достижения рабочего давления 5^.10^-3Па за 30 мин.;

- длительность технологического цикла 60 мин;

- размер носителей для обрабатываемых изделий 600×150 мм;

- количество носителей на карусели – 12 шт;

- управление циклом откачки – полуавтоматическое;

- управление технологическим процессом – полуавтоматическое;

- управление циклом откачки – ручное с автоматическим отключением;

- технологические устройства:

- ионный источник (3 кВт) – 1 шт.;

- магнетроны (6–12 кВт) – 3 шт.;

- электрическое смещение на карусель (300 В, 10 А) –1 шт.;

- регуляторы расхода газа (автоматические/ручные) – 3 шт.;

- регулятор давления – автоматический;

- регулятор скорости вращения карусели – автоматический;

- питание 3×380 В / 50 Гц;

- потребляемая мощность 45 кВт;

- расход воды, м³/ч (холодная/горячая) 0,3/0,1;

- габаритные размеры 2500×4000×2300 мм.

4. Установка МЭШ-60. Установка высокоскоростного магнетронного напыления МЭШ-60 ( рис. 4.57 ) состоит из рабочей камеры с передней дверью, рамы, откачной системы и стойки питания и управления. В рабочей камере расположена карусель с нижним приводом с вертикальной осью вращения. Изделия закрепляются на легкосъемных носителях. Снаружи камеры на унифицированных фланцах закреплены 4 высокоскоростных магнетронных распылителя (ВСМР), ионный источник, нагреватель. В качестве опции могут использоваться дуговые испарители. На установке МЭШ-60 можно наносить качественно новые покрытия за счет объединения в едином вакуумном цикле целого ряда технологических процессов, включающих ионную очистку и активацию поверхности изделий, магнетронное высокоскоростное нанесение различных материалов с ассистированием, нанесение многослойных и нанопокрытий.

Рис 4.57. Установка высокоскоростного магнетронного

Поиск по сайту: