ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРИЛАДИ

Фотоелектричні напівпровідникові прилади (фотоелементи) – це прилади, які перетворюють енергію оптичного випромінювання в електричну енергію.До фотоелементів відносять фотодіод, фоторезистор, фототранзистор і фототиристор.

Фотодіод – це напівпровідниковий прилад принцип дії якого оснований зростанні зворотнього струму n-p- переходу при його освітленні (рис. 5.30). Фотодіод застосовується без додаткового джерела живлення, оскільки сам є генератором стуму, причому сила стуму пропорційна освітленості.

Рис. 5.30 Умовне позначення та вмикання фотодіоду

Фотодіоди використовують як швидкодіючі чутливі елементи оптичних приймачів та приймальних модулів волоконно-оптичних ліній зв'язку, координатно-чутливі елементи автоматики, первинні перетворювачі освітленості.

Фотодіоди з великою площею n-p- переходу, призначені спеціально для отримання електричної енергії із світлової, називають сонячними батареями.

Фоторезистор – це напівпровідниковий прилад, опір якого залежить від освітленості(рис. 5.31).Такі прилади виготовляють на основі сульфіду або селеніду кадмію. При збільшеності освітленості опір фоторезистора зменшується тому, що зростає кількість вільних носіїв заряду за рахунок генерації нових вільних носіїв заряду.

Рис. 5.31 Будова фоторезистора

Рис. 5.32 Умовне позначення та схема вмикання фоторезистора

Фототранзистор – це напівпровідниковий прилад у якого n-p- перехід колектор-база є фотодіодом (рис. 5.33).

Рис. 5.33 Умовне позначення фототранзистора

Якщо в одному корпусі світло діод і фотоелемент, то вхідний струм можна перетворювати у вихідний повним гальванічним розділенням кіл.Такі елементи називають оптронами або оптопарами (рис.5.34).

Рис. 5.34 Умовне позначення оптопари

Фототиристор – це напівпровідниковий прилад у якого напруга вмикання зменшується зі збільшенням освітленості (рис. 5.35).

Рис. 5.35 Умовне позначення фототиристора

Поиск по сайту: