АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

В. Защита выполненного задания у преподавателя ведущего практические занятия

Читайте также:
  1. I. Ситуационные задачи и тестовые задания.
  2. II. Расчетная часть задания
  3. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  4. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  5. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  6. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  7. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  8. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  9. IV. Итог занятия.
  10. V. ЗАЩИТА ДИПЛОМНОЙ РАБОТЫ
  11. XI. Проанализируйте психокоррекционные возможности следующего психотехнического задания'.
  12. XI. Тестовые задания

Задание выполняется в личной рабочей тетради студента , аккуратно с необходимыми пояснениями и расчётами. Схемы должны быть выполнены в соответствии с требованиями стандартов.

К защите студент должен подготовить ответы на вопросы темы:

1.Движению каких носителей заряда из p-полупроводника в n-полупроводник не препятствует двойной электрический слой на границе двух полупроводников?

2.Существует ли связь между входными и выходными ВАХ биполярного транзистора с одной стороны, а также прямой и обратной ветвями ВАХ полупроводникового диода с другой стороны?

3.Как соотносятся между собой потенциалы истока и затвора полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа?

4.Как влияет на характеристики триодного тиристора увеличение тока через управляющий переход?

5.Будет ли в цепи, состоящей из последовательно соединённых фотодиода и источника ЭДС, существовать ток и , если будет, то будет ли он зависеть от освещённости фотодиода?

6.Что представляет собой резистор в полупроводниковой микросхеме?

7.В чём преимущества фототранзисторного оптрона по сравнению с фотодиодным?

8.Для чего в цепь питания светодиода от источника ЭДС включают резистор?

(защита работ студентами осуществляется в соответствии с графиком установленным преподавателем, но не позднее даты официально установленного зачёта по дисциплине деканатом и учебным отделом МГТУ).

 

 

Задание 8

«Электронные усилители. Усилительный каскад с общим эмиттером ».

Методические указания на практическое занятие

Занятие проводится под руководством преподавателя в учебной лаборатории или компьютерном классе.

а. Подготовка к практическому занятию

При подготовке к практическому занятию студент используя рекомендованную на лекции литературу, конспекты лекций, результаты лабораторных работ, возможности сети Интернет и другие доступные источники должен:

1.изучить:

- простейший усилитель и усилительные каскады напряжения, тока и мощности;- усилительный каскад с общим эмиттером;

- температурную стабилизацию усилительного каскада с общим эмиттером;

2.ознакомиться с методами решения задач используя решённые примеры в задании.

б. Задачи рекомендуемые студентам для решения:



Задача 3.1. На рис.3.8,а приведена схема усилительного каскада с общим эмиттером на транзисторе ГТ322А. Рассчитать сопротивление резистора RБ, при котором рабочая точка в режиме покоя усилителя будет находиться на середине линейных участков входной и переходной характеристик, если Ек= 10 В и RK = 1 кОм. Определить коэффициенты усиления по напряжению КU , по току KI, по мощности Кр, а также входное RВХ и выходное Rвых сопротивления усилительного каскада. Вход­ная и выходные характеристики транзистора ГТ322А приведены на рис.3.9. Значения его h-параметров: h11 = 330 Ом, h21 =56, h22 = См.

Решение. На семействе выходных характеристик Iк ( Uк) транзистора ГТ322А (см. рис.3.9,б) проводим линию нагрузки, соот­ветствующую RK = 1 кОм, с помощью которой можно построить переходную характеристику. Линейный участок этой характеристики соответствует диапазону мкА. Входная характеристика (cм.рис.3.9,а) линейна при мкА. Таким образом, обе характе­ристики линейны при мкА. Поэтому рабочую точку выбираем примерно в середине линейного участка при IБп = 150 мкА, что соответствует UKП =3,0 В и UБп =340 мВ.

Для выбранного тока IБп = 150 мкА сопротивление

 

 

 

 

По схеме замещения усилительного каскада (см.рис 3.8,б) можно легко рассчитать значения сопротивлений и коэффициентов усиления:

 

Задача 3.2.* Определить коэффициент усиления по напряжений KUненагруженных ( ) усилительных каскадов на различных биполярных транзисторах (БПТ) с общим эмиттером, если RK = 1кОм а h-параметры биполярных транзисторов (БПТ) равны:

 

 

 


Задача3.3. В усилительном каскаде с общим эмиттером на тран-зисторе КГ3107А коллекторный резистор имеет сопротивление RK = =3 кОм, а ЭДС Ек=15 В (см. рис 3 8,а) Определить сопротивление ре­зистора RБ и значения KU , KI , KP , RВХ , RВЫХ, воспользовавшись значе­ниями h-параметров транзистора КТ3107А: h11 = 1300 Ом, h21 =100, h22 = См. Входная и выходные характеристики транзистора КТ3107А приведены на рис. 3.10.

Ответ: RБ = 100 кОм; KU = 177; KI =76; KP = 13 450; RВХ =1300 Ом; RВЫХ = 2307 Ом.

Задача3.4. Определить доступный коэффициент усиления KUдост=UВЫХ/EВХ усилительного каскада на транзисторе типа п-р-п с общим эмиттером (рис.З.11), если h11 = 1 кОм, h21 =20, h22 = См и h12 =0.

 
 

 


 

 
 

 

 


Решение. Доступный коэффициент усиления, учитывающий влияние внутреннего сопротивления Rвт источника усиливаемого сиг­нала, определяются по формуле

Задача 3.5. В усилительном каскаде с общим эмиттером (рис.3.11) используется биполярный транзистор, имеющий следующие значения параметров h11 = 900 Ом, h21 =50, h22 = См. Опреде­лить выходное напряжение и выходное сопротивление этого каскада, если ЭДС источника входного сигнала Eвх= 8 мВ, его внутреннее сопротивление Rвт = 300 Ом, сопротивление RK = 3 кОм, а RБ >>h 11.

 
 

 

 


Решение. Входное напряжение

Выходное напряжение

Выходное сопротивление

 

Задача 3.6. Определить емкость конденсатора СЭ усилительного кас­када с температурной стабилизацией (рис. 3.12), если известно, что RЭ =3 кОм, а самая низкая частота усиливаемого напряжения fН=50 Гц.

 
 

 


Ответ: Сэ ≈ 10 мкФ.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |


Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.006 сек.)