|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Теоретические сведения. Полупроводниковым диодом называют прибор, состоящий из одного р-n-перехода
Полупроводниковым диодом называют прибор, состоящий из одного р - n -перехода. Переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность p -типа, а другая n -типа, называется р - n -переходом. Так как концентрация электронов в n -области больше, чем в р -области, электроны диффундируют из n -области в р -область. Аналогичным образом дырки диффундируют из р -области в n -область. По мере диффузии пограничный слой р -области обедняется дырками и в нем возникает отрицательный объемный заряд за счет ионизированных атомов акцепторной примеси. Пограничный слой n -области обедняется электронами и в нем возникает положительный объемный заряд за счет ионизированных атомов доноров. Область р - n -перехода, имеющая пониженную концентрацию основных носителей, называется запирающим слоем. За счет положительного объемного заряда в пограничном слое n -области электрический потенциал этой области становится выше, чем потенциал р -области. Между п и р-областями возникает разность потенциалов, которая называется контактной. Поскольку электрическое поле р - n -перехода препятствует диффузии основных носителей в соседнюю область, то считают, что между р и n -областями установился потенциальный барьер. При прямом включении р - n -перехода, когда «+» источника питания подается на область р, а «-» — на область п, потенциальный барьер уменьшается. Вследствие этого, диффузия основных носителей через р - n -переход значительно облегчается иво внешней цепи возникает ток. При обратном включении р - n -перехода, когда «+» источника подается на область п, а «-» — на область р, потенциальный барьер возрастает. В этом случае переход основных носителей из одной области в другую затрудняется и уменьшается ток во внешней цепи. Зависимость тока, протекающего через р - n -переход, от приложенного к нему напряжения, называется вольтамперной характеристикой (ВАХ). Вольтамперная характеристика р - n -перехода (полупроводникового диода) представлена на рис. 1.
Рис. 1
К основным параметрам полупроводникового диода относятся: - дифференциальное сопротивление ; - статическое сопротивление (сопротивление постоянному току) . Эти параметры можно определять непосредственно из ВАХ (рис. 1). Выпрямитель – это устройство, предназначенное для преобразования переменного напряжения в постоянное. Схема однополупериодного однотактного выпрямителя приведена на рис. 2, временные диаграммы - на рис. 3. Подробное описание работы схемы изложено в стендовом варианте данной лабораторной работы № 2.
Рис. 2. Схема однополупериодного выпрямителя
Наличие реактивного элемента или источника электродвижущей силы (э.д.с.)на стороне постоянного тока существенно изменяет режим работы выпрямителя. Электрическая схема выпрямителя с реактивной реакцией (активно-индуктивной нагрузкой) приведена на рис. 4, а временные диа-граммы ее работы – на рис. 5. Рис. 3. Временные диаграммы однополупериодного выпрямителя
Рис. 4. Однополупериодный выпрямитель с индуктивной реакцией
Рис. 5. Временные диаграммы выпрямителя с индуктивной реакцией
Подробное описание работы данной схемы, также и последующих схем, изложено в стендовом варианте лабораторной работы № 2.
Схема однофазного двухтактного выпрямителя (схема Греца) приведена на рис. 6, временные диаграммы – на рис. 7. В инженерной практике ее называют чаще двухполупериодным мостовым выпрямителем [20].
Рис. 6. Схема двухполупериодного мостового выпрямителя
Рис. 7. Временные диаграммы схемы мостового выпрямителя
В работе исследуется схема Греца с активно-емкостной нагрузкой (парал-лельно нагрузочному резистору подключен конденсатор), временные диа-граммы этой схемы приведены на рис. 8, а описание работы также смотрите в стендовом варианте лабораторной работы.
Рис. 8. Временные диаграммы схемы Греца
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.) |