Порядок выполнения эксперимента. 3.2.1. Открыть приложение Capture CIS из пакета OrCAD

3.2.1. Открыть приложение Capture CIS из пакета OrCAD. Загрузить в приложение файл Diode.opj. В открывшемся окне последовательно открыть: Design Resources ® diode.dsn ® Diode. В папке Diode содержатся варианты моделей для снятия ВАХ полупроводниковых диодов.

3.2.2. Открыть модель соответствующую варианту(рис. 10). Источник напряжения V1 служит для создания входного постоянного напряжения. Диод D1 – исследуемый элемент.

Рис. 10 – Модель цепи, для снятия ВАХ диода.

3.2.3. Открыть окно свойств симуляции и установить тип анализа Bias point (анализ по постоянному току).

3.2.4. Установить напряжение источника V1 0,1 В.

3.2.5.. Запустить симуляцию клавишей F11 или кнопкой " Run PSpice " на панели инструментов.

3.2.6. Записать значения напряжения на диоде (коричневые маркеры, показывают потенциал точки) и тока через диод (красные маркеры, показывают ток протекающий через точку). Если маркеры отсутствуют, их необходимо включить кнопками " V " и " I " на панели инструментов.

3.2.7. Повторить пункты 3.2.4-3.2.6 для остальных значений каждый раз увеличивая напряжение на 0,1 В. Результаты измерений свести в таблицу 2.

3.2.8. Установить напряжение источника V1 -5 В, запустить симуляцию, записать значения напряжения на диоде и тока через диод.

3.2.9. Повторить пункт 3.2.8 для остальных значений, каждый раз изменяя напряжение на -5 В. Результаты измерений свести в таблицу 3.

3.2.10. Выполнить пункт 3.1.4.

3.2.11. Загрузить файл Rect_1.opj. В открывшемся окне последовательно открыть: Design Resources ® rect_1.dsn ® SCHEMATIC1. В папке SCHEMATIC1 содержится модель R_load для снятия внешней характеристики однотактного выпрямителя (рис. 11).

Рис. 11 – Модель однотактного выпрямителя.

3.2.12. Установить максимальное значение сопротивления нагрузки R1 =2000 Ом.

3.2.13. Запустить симуляцию. В открывшемся окне PSpice A/D измерить постоянную составляющую напряжения на нагрузке (верхний график) и постоянную составляющую тока нагрузки (средний график).

3.2.14. Уменьшая напряжение на 100 Ом, повторить п. 3.2.13 для каждого значения сопротивления (всего 19 значений). Результаты измерений свести в таблицу 4. Зарисовать осциллограмму напряжения на нагрузке при максимальном значении тока.

3.2.15. Загрузить файл Rect_1_RL.opj. В открывшемся окне последовательно открыть: Design Resources ® rect_1_RL.dsn ® SCHEMATIC1. В папке SCHEMATIC1 содержится модель RL_load для снятия внешней характеристики однотактного выпрямителя c индуктивной нагрузкой (рис. 12).

Рис. 12 – Модель однотактного выпрямителя с индуктивной нагрузкой.

3.2.16. Повторить для данной схемы действия пунктов 3.2.12-3.2.14. Результаты измерений свести в таблицу 4.

3.2.17. Загрузить файл Rect_2.opj. В открывшемся окне последовательно открыть: Design Resources ® rect_2.dsn ® SCHEMATIC1. В папке SCHEMATIC1 содержится модель R_load для снятия внешней характеристики двухтактного выпрямителя c активной нагрузкой (рис. 13).

3.2.18. Повторить для данной схемы действия пунктов 3.2.12-3.2.14. Результаты измерений свести в таблицу 5.

3.2.19. Загрузить файл Rect_2_RС.opj. В открывшемся окне последовательно открыть: Design Resources ® rect_2_RС.dsn ® SCHEMATIC1. В папке SCHEMATIC1 содержится модель RС_load для снятия внешней характеристики двухтактного выпрямителя c емкостной нагрузкой (рис. 14).

3.2.20. Повторить для данной схемы действия пунктов 3.2.12-3.2.14. Результаты измерений свести в таблицу 5.

3.2.21. По данным таблиц 4 и 5 построить на одном графике внешние характеристики выпрямителей с различными типами нагрузки.

Рис. 13 – Модель двухтактного выпрямителя с активной нагрузкой.

Рис. 14 – Модель двухтактного выпрямителя с емкостной нагрузкой.

Содержание отчета.

4.1 Цель работы.

4.2. Краткие теоретические положения.

4.3. Схема цепи для снятия вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.

4.4. Таблицы 2 и 3. График вольт-амперной характеристики диода, полученной в результате эксперимента. График вольтамперной характеристики диода построенной по формуле (1).

4.5. Схемы исследуемых выпрямительных цепей.

4.6. Осциллограммы напряжения на нагрузке исследуемых выпрямительных цепей.

4.7. Таблицы 4 и 5. Графики внешних характеристик исследуемых выпрямительных цепей.

4.8. Выводы.

Вопросы к защите

5.5. Конструкция и принцип действия полупроводникового диода.

5.6. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.

5.7. Принцип действия однотактного выпрямителя.

5.8. Принцип действия двухтактного выпрямителя.

5.9. Особенности работы выпрямителей на индуктивную нагрузку.

5.10. Особенности работы выпрямителей на емкостную нагрузку.

5.11. Внешняя характеристика выпрямителя.

Поиск по сайту: