Анализаторы задерживающего поля

Наиболее простое устройство имеют анализаторы первого класса. Начнем с самого простого случая - одномерного, и выясним, как можно измерить распределение электронов по энергиям. Пусть имеем плоский конденсатор, в котором одной из обкладок является эмитирующая поверхность - катод. Энергетическая схема для такой системы приведена на рис.2.11.1. в случае, когда у поверхности катода имеется тормозящее электроны поле. Из нее следует, что анода достигнут только те электроны, нормальная компонента энергии E_z которых достаточна для преодоления максимума потенциального барьера, т.е. E_z>еV_ист. Величина составляющей скорости электронов вдоль поверхности при этом не имеет значения. Чтобы определить распределение электронов в потоке по энергиям N(E_z)= нужно установить, сколько электронов имеют энергию в интервале от E_z до E_z+dE_z. Для этого достаточно измерить изменение эмиссионного тока при изменении высоты потенциального барьера на величину eDV.

При изменении V на небольшую величину DV имеем:

Dj=eN(E_z)D(eV) (2.11.3)

или

(2.11.4)

Таким образом, чтобы получить распределение электронов по энергиям, достаточно измерить зависимость j (V) при V_ucm<0 и затем ее продифференцировать.

Продифференцировать можно несколькими способами. Самый простой, хотя и не очень точный, способ заключается в измерении вольтамперной характеристики и последующем ее графическом дифференцировании. В последнее время для этих целей широко применяется дифференцирование с помощью ЭВМ – фиксируется изменение тока при изменении разности потенциалов на малую величину.

Существуют также методы электронного дифференцирования, позволяющие непосредственно получить величину, пропорциональную N(E). Технически это можно осуществить модулируя медленно изменяющийся задерживающий потенциал синусоидальным напряжением малой амплитуды dV. При этом возникает ток, имеющий переменную составляющую. Используя разложение в ряд Тейлора, имеем:

(2.11.5)

где ω – частота модуляции. Выражение может быть преобразовано, используя элементарные тригонометрические соотношения типа:

(2.11.6)

В результате получим ряд не по степеням синуса, а от тригонометрических функций, в которых аргументами являются величины, кратные частоте модуляции. Коэффициент при sin ωt равен:

,(2.11.7)

при cos 2ωt:

(2.11.8)

Таким образом, при малой величине амплитуды модулирующего напряжения, что позволяет пренебречь вторым и последующими слагаемыми, измерение переменного сигнала на основной частоте позволяет получить производную тока по напряжению, которая пропорциональна числу электронов, обладающих энергией, задаваемой величиной V₀. Измерение при удвоенной частоте дает величину dN(E)/dE, интегрирование которой также позволяет получить распределение частиц по энергии. Этот прием оказывается крайне полезным и широко используется в тех случаях, когда интересующая группа электронов располагается на пьедестале из большого по величине, но слабо изменяющегося с энергией фонового сигнала. Дифференцирование устраняет медленно изменяющийся фоновый ток и позволяет использовать более высокие коэффициенты усиления регистрирующей аппаратуры.

Переменный сигнал регистрируется узкополосным усилителем. Оптимальным для этих целей является синхронный детектор, полоса пропускания которого может быть доведена до тысячной Гц, что улучшает соотношение сигнал/шум. В случае плоских электродов может быть исследовано распределение только по одной составляющей энергии, соответствующей нормальной к поверхности компоненте скорости. Величина компоненты скорости вдоль поверхности не влияет на вероятность перехода электрона от катода к аноду.

В настоящее время разработана аппаратура, позволяющая исследовать распределение по полным энергиям. Анализ по отдельным составляющим уже не соответствует современному экспериментальному уровню. Однако, целесообразно рассмотреть прибор, позволяющий исследовать распределение по радиальной составляющей энергии, поскольку на этом примере можно показать, какие проблемы возникают при такого рода исследованиях.

Схема прибора представлена на рис.2.11.2. В центре цилиндра, являющегося анодом, располагается нить-катод, которая разогревается проходящим током. При такой конфигурации задерживающее поле является радиальным, и анализ электронов по энергиям позволяет получить распределение по величинам радиальной составляющей скорости v _r (r, j и z – цилиндрические координаты).Из какой бы точки центральной нити ни вышел бы электрон, если ее диаметр мал, можно считать v _j=0. В то же время на составляющую v _z, параллельную образующей цилиндра, электрическое поле не влияет.

В приборе должны быть предусмотрены некоторые элементы, позволяющие избежать ошибок при измерениях. Прежде всего, необходимо устранить влияние расширения катода при его термическом разогреве, что может привести к провисанию нити и нарушению цилиндрической симметрии. Для этого можно использовать оттяжку в виде грузика или пружину.

Другая возможная погрешность связана с неравномерностью температуры вдоль нити. Вследствие охлаждающего действия вводов, на которых закрепляется нить, температура у ее концов понижена. Чтобы избавиться от неопределенности, цилиндр делят на три части: центральную, которая и является измерительной, и две охранных, соединенных непосредственно с заземлением, минуя измерительный прибор. Основная часть электронов, эмитируемых с середины нити-катода, где температура однородна, приходит на центральную часть коллектора. Электроны же с концов поступают преимущественно на боковые части коллектора.

Далее, между катодом и анодом имеется некоторая разность потенциалов. Это может приводить к появлению «паразитных» токов утечки по конструкционным деталям прибора. Чтобы устранить их используют проводящие охранные кольца (ОК), которыми окружают измерительный вывод из прибора. Они включаются в цепь таким образом, чтобы разность потенциалов между охранным кольцом и измерительным токовводом была равна нулю.

Еще одна неприятность связана с возможностью появления объемного заряда. Из нити эмитируется большое количество электронов. Они замедляют свою скорость, а часть из них возвращается обратно вследствие наличия задерживающего поля между катодом и анодом. Это приводит к появлению отрицательного заряда в межэлектродном пространстве. Если нарисовать ход потенциальной энергии электронов в вакууме, то получится картина, схематически представленная на рис.2.11.3. Наличие объемного заряда приводит к тому, что на коллектор не могут попасть электроны с энергиями E<eDV_об.зар., что, естественно, искажает распределение электронов в низкоэнергетической части спектра.

Влияние этого фактора особенно существенно, когда катодом является нить малого диаметра, и получение измеримых токов возможно только в случае высокой плотности эмиссионного тока около поверхности катода. Чтобы устранить влияние объемного заряда, целесообразно ввести сетку (G) между катодом и анодом, на которую подать большое положительное напряжение, оттягивающее электроны от катода. Это позволяет на порядки снизить плотность отрицательного заряда в области торможения электронов. Как уже отмечалось выше, наличие дополнительных сеток не отражается на энергии электронов и, следовательно, на вероятности достижения ими анода.

Наконец, к существенным ошибкам может приводить использование тока накала для нагревания нити-катода. Это связано с двумя причинами. Во-первых, вдоль нити имеется падение потенциала, что приводит к различию в потенциальной энергии электронов, эмитируемых разными точками катода. Вторая причина - магнитное поле, создаваемое проходящим током накала. Магнитное поле искривляет траекторию движения электронов, изменяя тем самым соотношение между составляющими импульса. Это существенно в данном случае, поскольку анализ в приборе, имеющем цилиндрическую симметрию, может проводиться только по радиальной компоненте импульса электронов.

Избежать связанных с указанными причинами ошибок можно, воспользовавшись инерционностью температуры нити. Если ток накала подавать импульсами (рис.2.11.4а), то в момент прохождения тока Т катода повышается, а после окончания импульса - уменьшается (рис.2.11.4б). При достаточно большой частоте импульсов и малой скважности колебания температуры DТ могут быть настолько малыми, что ими можно пренебречь.

Это позволяет измерять величину эмиссионного тока в те моменты времени, когда отсутствует ток накала, синхронизируя соответствующим образом задерживающее напряжение на коллекторе (рис.2.11.4 в). Тем самым исключается влияние падения напряжения вдоль катода за счет тока накала, а также создаваемого протекающим током магнитного поля. Варьируя величину амплитуды V можно получить зависимость i(V), производная которой по V дает распределение термоэлектронов по радиальной составляющей энергии.

В случае особо точных измерений необходимо также устранить влияние магнитного поля Земли, а также других деталей, которые могут находиться вблизи от экспериментального прибора. Несмотря на то, что такие поля обычно не велики, они способны оказать сильное влияние на результаты ввиду малой энергии анализируемых электронов. Так, например, даже наличие в нескольких метрах слабо намагниченной отвертки (а инструменты все немного намагничены) может существенно исказить результаты. Чтобы устранить этот источник ошибок можно скомпенсировать магнитное поле при помощи катушек Гельмгольца. Недостатком этого способа является невозможность получить нулевое магнитное поле во всем экспериментальном объеме. Полная компенсация достижима только в отдельной точке. Другим способом защиты является размещение прибора в экране с высокой магнитной проницаемостью. Для этих целей используют пермаллой, являющийся сплавом никеля и железа с добавкой некоторых других элементов. После специальной обработки (например, ускоренного охлаждения после отжига при ~ 600⁰C) магнитная проницаемость может достигать величины 100000 и более, что и позволяет устранить влияние посторонних магнитных полей.

Очевидно, что наиболее интересно распределение по полным энергиям. Для этих целей часто используется сферический конденсатор Лукирского (рис.2.11.5). В этом приборе эмиттер в идеальном случае представляет собой шарик малых размеров, который помещается в центр сферического анода. В случае точечного эмиттера в каком бы направлении электрон ни вышел, он двигался бы по радиусу. Если у него энергия достаточна, то он дойдет до анода, если нет - вернется на катод. Это идеализированный случай. Эмиттер всегда имеет конечные размеры, а потому эмитируемый электрон помимо составляющей скорости вдоль радиуса v_n имеет и составляющую v_tg, касательную к поверхности сферы. Хуже того, образцы сферической формы не представляют большого интереса, поскольку на поверхности сферы присутствуют грани с любой кристаллографической ориентацией, следовательно, имеются участки, резко отличающиеся по своим свойствам. Обычно исследуются монокристаллические образцы, имеющие плоскую поверхность. Это значит, что при выходе у электрона помимо составляющей импульса по радиусу имеется и составляющая по касательной к поверхности. Кроме того, электрическое поле около образца не имеет сферической симметрии.

Расчет, проведенный П.И.Лукирским, показал, что при соотношении радиусов коллектора и катода больше 30 ошибка в измеряемой энергии электронов не превышает 0.5%. Удовлетворить этому требованию бывает достаточно трудно. Радиус коллектора обычно не превышает 5-10 см, а размеры эмиттера сложно сделать меньше 0.5 см. Кроме того, заметные искажения вносят отклонения формы эмиттера от сферической и наличие держателя образца. Все это приводит к тому, что считается хорошим достижением, если погрешность по энергии составляет ~0,05 эВ.

В настоящее время широко применяются полусферические 3^х - или 4^х -сеточные анализаторы с углом раствора 127⁰ или 180⁰, позволяющие получить разрешение на уровне 0,7-0,3% в области невысоких энергий электронов (~ 10-1000 эВ). На рис.2.11.6 приведена принципиальная схема 4^х-сеточного анализатора. Он состоит из коллектора и четырех полусферических сеток (G₁ – G₄).

Образец (1), являющийся источником электронов, располагается в центре. Ближайшая к нему сетка (G₁) поддерживается при потенциале образца. Ее предназначением является создание около образца бесполевого пространства. Контактная разность потенциалов между образцом и сеткой обычно не принимается во внимание. Отсутствие поля обеспечивает прямолинейное движение электронов по направлению их вылета и, следовательно, сохранение соотношения между составляющими импульса электрона. Иногда для уменьшения проникновения поля, создаваемого элементами, находящимися вне анализатора, вводят дополнительные кольца (К). Следующие сетки (G₂ и G₃) являются анализирующими. На них подается линейно изменяющееся напряжение задержки, на которое накладывается синусоидальное напряжение малой амплитуды. Напряжение задержки формируется генератором пилообразного напряжения (8). Синусоидальное напряжение, вырабатываемое звуковым генератором (9), смешивается с пилообразным с помощью разделительного трансформатора (11).

Сетки G₂ и G₃ электрически соединены. Использование двух сеток диктуется стремлением повысить разрешающую способность анализатора. Высокие требования предъявляются не только к сферичности сеток, но и к их прозрачности. С другой стороны, чем больше размеры ее ячеек, тем сильнее провисание поля. Это приводит к отличию величины задерживающего потенциала в центре ячейки от потенциала на ее краях. Наличие еще одной сетки (G₃), имеющей тот же потенциал, значительно уменьшает провисание поля, повышая тем самым разрешающую способность системы. В тех случаях, когда нет необходимости в предельно высоком разрешении, можно ограничиться одной анализирующей сеткой. Четвертая сетка (G₄) располагается перед коллектором и находится под потенциалом земли. Ее назначение – уменьшить емкостную связь между коллектором и анализирующими сетками. В противном случае паразитный сигнал, появляющийся вследствие синусоидальной модуляции задерживающего напряжения, окажется значительно превышающим полезный. Переменная составляющая сигнала усиливается предусилителем (2), а затем узкополосным усилителем и через фазовращатель (4) поступает на синхронный детектор (5), на который подается и сигнал от звукового генератора либо непосредственно, либо после удвоителя частоты в зависимости от того, измеряется ли распределение электронов по энергиям или его производная. Полученный сигнал регистрируется с помощью ЭВМ (6).

Преимуществом таких анализаторов является их большая «светосила» - анализируются все электроны, эмитируемые в пределах угла, близкого к полусферическому. Их разрешающая способность стандартно составляет Е/dЕ=100÷200. Еще одно важное достоинство такого анализатора заключается в том, что его конструкция не отличается от имеющейся для исследования дифракции медленных электронов. Это позволяет, используя внешнее переключение напряжений, следить за атомарной структурой поверхности. Именно это обстоятельство и обуславливает популярность использования анализаторов такого типа в современных исследованиях.

Поиск по сайту: