АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
|
Растекание электронного газа
Вторая часть работы выхода связана с наличием на поверхности двойного слоя. В квантовой механике показывается, что с некоторой вероятностью электроны могут находиться в области под потенциальным барьером. Кроме того, как уже отмечалось, энергетически невыгоден резкий скачок электронной плотности (раздел 1.3.1). Это приводит к растеканию электронного газа, над поверхностью существует электронное облако (рис.1.3.5). Но система в целом нейтральна. Избыток отрицательного заряда над поверхностью должен быть скомпенсирован его дефицитом или, что то же самое, наличием избытка положительного заряда в прилежащей к поверхности области. В результате образуется своего рода конденсатор, отрицательно заряженная обкладка которого находится на внешней стороне твердого тела. Возникает электрическое поле, препятствующее выходу электронов, что дает соответствующий вклад в величину работы выхода - djраст. Но такое растекание электронной плотности не единственная причина, вызывающая появление двойного слоя. 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | Поиск по сайту:
|