Эффект сглаживания электронного газа

Поляризационная часть j и величина скачка потенциала, связанного с растеканием электронного газа, сравнительно слабо зависят от кристаллографического строения поверхности. Между тем, эксперименты показывают, что работа выхода разных граней одного и того же материала могут значительно отличаться. В качестве примера в табл.1.3.1 приведены значения j для некоторых граней вольфрама.

Таблица 1.3.1.Работа выхода отдельных граней вольфрама

Видно, что изменения достигают почти двух эВ, или ~ 40%. Интересно сопоставить значения j с атомным строением граней. Из приведенной таблицы видно, что работа выхода тем меньше, чем ниже ретикулярная плотность [2] грани. Причем, вольфрам не является исключением. Такого же характера данные были получены и для других материалов.

О важности атомного строения свидетельствуют и исследования влияния дефектов атомной структуры на величину работы выхода. На рис.1.3.6 схематически изображены дефекты, наиболее часто встречающиеся на поверхности – ступени, уступы, вакансии, атомы в адсорбированном состоянии (отсутствуют соседи в плоскости поверхности), кластеры (атомы, объединенные в группу). Был выполнен ряд исследований по изучению влияния контролируемого числа дефектов на величину работы выхода. В частности были проведены измерения j для поверхностей, имеющих различную концентрацию ступеней, которые представляют собой крупномасштабные дефекты атомного строения. В качестве примера на рис.1.3.7 приведены результаты, полученные для ступенчатых поверхностей Au и Pt [7]. Наблюдается хорошая прямолинейная зависимость между концентрацией ступеней и величиной Dj, которая является разностью работы выхода грани со ступенями, ориентация террас которых соответствует грани (111), и работой выхода самой грани (111).

Аналогичные результаты были получены также для вольфрама [7,8], железа [9], для Ir (работа выхода гладкой наиболее плотноупакованной грани (111) оказалась на 0,55 эВ выше, чем у ступенчатой, 5,8 и 5,25 эВ, соответственно).

Один из наиболее ярких результатов был получен при исследовании изменения j в результате осаждения атомов вольфрама на поверхности W (110) [10,11]. Было обнаружено, что работа выходапри этом уменьшается и величина понижения может достигать 0,6-0,7 эВ. Аналогичные результаты были получены и при изучении адсорбции атомов Fe наFe(110) и (001). При напылении атомов на подогретую подложку изменения оказываются меньше, что естественно, поскольку при повышении Т происходит «залечивание» части дефектов из-за увеличения подвижности атомов вдоль поверхности.

Особо следует остановиться на приведенной в табл.1.3.1 величине j грани W (011), для которой был указан интервал значений, намного превосходящий погрешность современных методов определения работы выхода. По всей видимости, расхождение вызывается атомным строением поверхности. Наибольшая величина (6.0 эВ) была получена в тех случаях, когда обработка поверхности гарантировала отсутствие тепловых дефектов: поверхность была получена испарением в сильных электрических полях без последующего термического отжига [12]. Если же на финишной стадии очистки поверхности применяется высокотемпературный прогрев, то неминуемо образование значительного количества дефектов. Часть атомов покидает свои места, в результате чего образуются вакансии, а оказавшиеся на поверхности такие атомы переходят в адсорбированное состояние (рис.1.3.6). Следует особо отметить, что присутствие дефектов обязательно для термически равновесного состояния поверхности. Их количество должно определяться в соответствии с выражением Больцмана: N_d~exp(-W_d/kT), где W_d - энергия образования дефектов соответствующего типа. Можно полагать, что именно с их наличием связано более низкое значение j (5.3¼5.4 эВ) для грани (011), которое получается при экспериментах с кристаллами больших размеров, и очистка поверхности которых невозможна без высокотемпературного отжига.

Качественно различие j граней с разным кристаллическим строением было впервые объяснено Смолуховским [13], который предложил учесть эффект сглаживания электронного газа. Ход рассуждений Смолуховского заключается в следующем. Представим себе твердое тело в виде совокупности ячеек Вигнера-Зейтца. Напомним, что ячейки строятся следующим образом.

Соединим ион со своими соседями, как с ближайшими, так и с более удаленными, прямыми. Проведем перпендикулярно им через середины отрезков плоскости (рис.1.3.8). В результате получаем ячейку, все точки которой расположены ближе к данному иону, чем к любому другому. Это и есть ячейка Вигнера-Зейтца. Транслируя эту ячейку на постоянную решетки можно построить весь кристалл. Чем интересна эта ячейка? Прежде всего, она нейтральна. Заряд иона полностью скомпенсирован электронной плотностью, заключенной внутри ячейки. Кроме того, она обладает той же симметрией и ее можно рассматривать как миниатюрное представление кристалла. Если найти решение уравнения Шредингера для электронов в пределах этой ячейки, удовлетворяющие соответствующим граничным условиям на поверхности ячейки,

то возможно определение всех свойства кристалла.

Пусть наше тело конечно. Чтобы получить поверхность, необходимо разрезать кристалл (рис.1.3.9а). Сделаем это так, чтобы поверхность была образована плотноупакованной гранью, т.е. по линии А-А. Естественно, что разрез должен быть проведен по границам ячеек Вигнера-Зейтца: в противном случае мы не сможем обеспечить электронейтральность твердого тела. Получим таким образом гладкую поверхность А-А (рис.1.3.9 б), над которой, как говорилось выше, существует электронное облако, препятствующее выходу электронов.

Теперь разрежем кристалл по другому направлению, так, чтобы поверхность была образована гранью с малой ретикулярной плотностью, т.е. “рыхлой” гранью. Для этого разрежем кристалл по направлению В-В. Опять-таки при этом необходимо следить, чтобы ячейки Вигнера-Зейтца не разрезались на части. В результате получается поверхность, имеющая резкие углы и впадины (рис.1.3.9 в). Как уже отмечалось, электронной плотности энергетически крайне невыгодно иметь такую конфигурацию. Она стремится перераспределиться в пространстве таким образом, чтобы получилась более гладкая поверхность. Во впадинах появляется дополнительный электронный заряд, что происходит за счет ухода его с выступов. Уход электронов с выступов можно рассматривать как появление в этих местах положительного заряда. Результатом такого сглаживания электронной плотности является образование двойного электрического слоя, положительная обкладка которого обращена в сторону вакуума. Возникающее электрическое поле облегчает выход электронов из твердого тела. Этим эффектом и можно объяснить, почему плотноупакованные грани имеют большую работу выхода, чем рыхлые, почему наличие дефектов на поверхности приводит к уменьшению величины j.

Таким образом, работу по преодолению двойного слоя на поверхности можно представить в виде суммы двух величин: части, связанной с растеканием электронной плотности за поверхность твердого тела, и части, вызванной сглаживанием электронной плотности:

Δj_DC=dj_pаст+dj_cгл . (1.3.13)

Приведенное выше рассмотрение механизма формирования работы выхода проведено в адиабатическом приближении. Это подразумевает, что время релаксации электронной системы настолько мало, что она мгновенно реагирует на изменение положения электрона в пространстве. Однако, в действительности скорость перемещения электрона настолько велика, что реакция на смещение электрона должна запаздывать. За время, необходимое на реакцию электронной подсистемы, которое составляет ~ 10^-15 с, электрон смещается на расстояние порядка 1-10 Å. Это очень большое расстояние, если учесть быстрое изменение с расстоянием потенциала около поверхности. Строго говоря, это должно отразиться на силе взаимодействия заряда с «отстающим» во времени его зеркальным изображением в твердом теле. Кроме того, вследствие того, что тела имеют конечное (а не нулевое) сопротивление, перераспределение зарядов, формирующих зеркальное изображение, должно сопровождаться и соответствующими затратами энергии на джоулево тепло. В настоящее время убедительных данных о роли этих факторов нет. Молчаливо считается, что они незначительно влияют на величину работы выхода.

Поиск по сайту: