|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Влияние периодичности решетки на электронные состояния. Зонная модельМодель свободных электронов в потенциальном ящике - модель Зоммерфельда - оказалась полезной для физики металлов. Она позволила объяснить ряд свойств этих материалов. Но реальная картина сложнее. В частности, модель не позволяет понять, почему одни химические элементы в кристаллическом состоянии являются проводниками, а другие - изоляторами, почему у одних кристаллов сопротивление возрастает с температурой, а у других - уменьшается. Очевидно, что дефект заложен в модели. Первое, что бросается в глаза - полное отсутствие учета кристаллической структуры, не рассматривается взаимодействие электрона с решеткой твердого тела. В связи с этим возникают два вопроса.
2.Как отразится учет структуры кристаллической решетки на поведении электронов? Сначала о первом. Потенциальная энергия электронов в атоме может быть изображена в виде “воронки”, образованной кулоновским взаимодействием с остовом иона. При сближении атомов вследствие суммирования потенциалов получится картина, схематически представленная на рис.1.4.1 (кривая 1). Она значительно отличается от предполагаемого в модели Зоммерфельда постоянного потенциала. Однако более строгое квантовомеханическое рассмотрение показывает, что валентные электроны испытывают сильное отталкивание от электронов остова иона. Это взаимодействие может быть учтено при помощи введения эффективного потенциала - псевдопотенциала (кривая 2, рис.1.4.1) – в виде:
где Z – заряд остова иона, U 0 и rc - параметры, величины которых могут быть определены для каждого материала. q(x) - функция Хэвисайда:
В результате дно потенциального ящика оказывается лишь слабо модулированным. Если пренебречь этими небольшими изменениями потенциала, то и получаем тот, который предполагается в модели Зоммерфельда.
Их возникновение может быть объяснено следующим образом. Рассмотрим одномерную решетку. В простейшем случае поведение электрона может быть описано при помощи плоской волны: y ~ exp(ikz) с длиной волны l=2p/k (1.4.3) Узлы решетки представляют собой центры рассеяния. Известно, что на периодически расположенных центрах рассеяния возможна дифракция волн (рис.1.4.3). При этом должно быть выполнено соотношение Вульфа-Брегга:
где J1 - угол падения на отражающую плоскость, J2 - угол отражения, m - целое число. В одномерном случае J1=J2=0 и из (1.4.3) получим: l=2a/m или k=pm/a. (1.4.5) При выполнении этого условия волновая функция не может быть представлена в виде, соответствующем бегущей волне. Единственно возможным стационарным состоянием в этом случае является стоячая волна. Скорость ее распространения равна нулю, что означает dE/dk=0. При этом возможны два решения: y ~ sin (pz/a), (1.4.6 а) y ~ cos (pz/a) (1.4.6 б) где начало координат совмещено с центром одного из атомов. Они различаются. В первом случае электронная плотность½ y ½2 преимущественно сосредоточена в промежутке между узлами решетки (рис.1.4.4). Потенциальная энергия взаимодействия электронов с ионами решетки в этом случае значительно отличается от второго, когда максимум ½ y ½2 приходится на узлы решетки. Итогом является наличие на зависимости E(k) запрещенного промежутка DЕg.
Частично взаимодействие между электронами учитывается в так называемом методе самосогласованного поля. В этом методе взаимодействие данного электрона со всеми остальными заменяется введением некоторого э ффективного самосогласованного поля, образованного размазанным зарядом всех электронов и ионов системы. Рассматриваемый электрон предполагается движущимся в этом самосогласованном поле. Термин “самосогласование” означает, что поведение всех остальных электронов зависит от движения в том числе и данного электрона. Наиболее серьезные возражения возникают при описании поведения электронов, находящихся в валентной зоне. В этом случае задача явно многоэлектронная. В зонной теории игнорируется обмен энергией между электроном и решеткой. Они находятся в состоянии мирного сосуществования, но не взаимодействуют друг с другом. Тепловое движение ионов также не учитывается при таком рассмотрении. Его приходится вводить в задачу специальным образом. Не описывается и процесс генерации или рекомбинации носителей, фиксируется только начальное и конечное состояния. Серьезным недостатком является и предположение, что твердое тело представляет собой идеально-периодический кристалл. Между тем, кристалл с идеальной периодичностью это экзотика. Более того, в состоянии термодинамического равновесия в нем обязательно должны присутствовать дефекты с концентрациями, соответствующими энергии их образования. Правда, сопоставление экспериментальных результатов с расчетными показывает, что зонная теория хорошо объясняет наблюдаемые факты даже в случае твердых тел, не обладающих идеальной упорядоченностью. Оказывается, что существенен не дальний, а ближний порядок. Под последним термином понимают хорошее соблюдение периодичности на расстояниях, не очень сильно превышающих постоянную решетки (~ 100 a). Подводя итог, можно сказать следующее. В теории твердого тела существует обширная группа задач, которые могут решаться в рамках зонной теории: электропроводность, теплопроводность и т.д. Однако имеются и такие задачи, которые принципиально выходят за рамки зонной теории. Примером является задача о рекомбинации свободного электрона со свободной дыркой. По зонной теории это просто схлопывание дырки, теория дает лишь начальное и конечное состояние, но не способна раскрыть и описать механизм процесса, являющегося результатом взаимодействия между дыркой и электроном. То же самое в полной мере относится и к процессу ионизации, т.е. рождения свободных носителей тока. Не укладываются в зонную теорию и экситонные состояния, плазмоны, дефекты, примеси и т.д. Для их описания приходится привлекать другие соображения: атомная модель, диэлектрическая среда и др. В дальнейшем будем в основном использовать модель Зоммерфельда, как наиболее простую и в то же время передающую основные особенности наблюдаемых процессов. Зонная теория будет привлекаться лишь в тех случаях, когда невозможно иным путем понять происходящее.
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.) |