|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Плотность состоянийОпределим число квантовых состояний Z(E), которым обладает микрочастица в интервале энергий от E до E+dE. В случае идеального газа (потенциальной энергией взаимодействия микрочастиц можно пренебречь) , (6.14) поэтому можно сначала подсчитать число квантовых состояний Z(p), которые соответствуют микрочастице в импульсном интервале p, p+dp, а уже потом перейти на язык энергий. Рассмотрим пространство импульсов. Проведем в этом пространстве две сферы радиусом p и p+dp, рис. 6.7. На рисунке для простоты изобразим двух-координатную систему, так как нас не интересует направление вектора p, а только его величина. Все частицы с импульсами, лежащими в интервале p, p+dp находятся в шаровом слое с объемом 4pp2dp. Число квантовых состояний для частиц с такими импульсами: Z(p) = . (6.15) С учетом соотношений (6.12) и (6.13) перепишем уравнение (6.15) в виде Z(p) = . (6.16) Перейдем теперь к Z(E), записав p2=2mE; p=(2mE)1/2; dp= (2m)1/2E-1/2dE (6.17) и подставив полученные выражения в (6.16). В результате имеем . (6.18) Плотность числа квантовых состояний g(E) определяется выражением , (6.19) поэтому . (6.20) Плотность состояний g(E) - это число квантовых состояний микрочастицы, приходящихся на единичный интервал энергии. Из уравнения (6.20) и рис.6.8 видно, что с ростом E плотность состояний увеличивается пропорционально E1/2. Влияет на g(E) масса частицы m и объем пространства V (6.20). Следует отметить, что полученный результат нуждается в некотором уточнении. Строго говоря, с каждой элементарной ячейкой фазового пространства необходимо отождествлять не одно, а несколько состояний микрочастицы (2s+1), учитывающих наличие спина. В результате . (6.21) Учет спина увеличивает число состояний для электрона в 2 раза. Интегрируя (6.21) по энергии в пределах от 0 до E, получим общее число состояний микрочастицы, соответствующее энергетическому диапазону от 0 до E: . (6.22) Полагая для идеального газа микрочастиц , имеем Q(T)~T3/2. (6.23) Вспомним, что при мы имели вырожденный газ, а при N<<Q - невырожденный. Ясно, что с увеличением температуры можно существенно увеличить число квантовых состояний Q (см. уравнение 6.23) и перевести вырожденный газ в невырожденный, то есть перейти от квантовой статистики к статистике Максвелла-Больцмана. Если переписать условие невырожденности газа микрочастиц в виде , (6.24) и подставить Q из выражения (6.22), то критерий невырожденности приобретает более развернутый характер: . (6.25) Из (6.25) становится понятно, что невырожденное состояние газа можно достигнуть и путем уменьшения концентрации n = N/V. Молекулярные газы в нормальных условиях являются невырожденными. Электронный газ в металлах в реальных условиях - вырожден. В полупроводниках, где концентрация электронов существенно меньше, чем в металлах, электронный газ - невырожден (оценим на практических занятиях). Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.005 сек.) |