АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Электропроводность кристаллов в сильных электрических полях

Читайте также:
  1. IV. Расчет электрических параметров электрофильтра.
  2. L.2. Зарождение кристаллов.
  3. L.3.3. Влияние примесей на рост и форму кристаллов.
  4. Q.1.2. Поляризационно-оптический метод исследования кристаллов.
  5. Q.3. Магнитные свойства кристаллов.
  6. V1: Методы анализа электрических цепей постоянного тока
  7. V1: Переходные процессы в линейных электрических цепях, методы анализа переходных процессов
  8. V1: Процессы в сложных электрических цепях, цепи с распределенными параметрами
  9. V1: Теория электрических и магнитных цепей переменного тока
  10. Анализ линейных электрических цепей в установившихся режимах
  11. Анализ ситуации прикосновения человека (в электрических сетях с изолированной нейтралью)
  12. Билет №17 режимы работы электрических систем

В сильных электрических полях (e³104 В/см) значение дрейфовой скорости ud может оказаться сопоставимым с значением тепловой скорости u, и результирующая скорость в уравнении (11.9) начинает зависеть от e, поэтому

I II III
n¹f(e) n¹f(e) n=f(e) u¹f(e) uu=f(e) =f(e)    
j
e
пробой
 
функцией напряженности электрического поля становится подвижность u=f(e) и s=f(e). Закон Ома в виде (11.3) нарушается, пропадает линейная зависимость j от e, рис.11.5. Расчет показывает, что если рассеяние носителей тока проис-ходит на фононах, то u~e-1/2, s~e-1/2 и j~e1/2, рис.11.5 (II).

  Рис. 11.5

При полях e³105 В/см существенную роль начинает играть и увеличение концентрации электронов, которое может происходить по трем основным причинам: термополевая ионизация Френкеля, ударная ионизация и туннельный эффект, и приводит к резкому возрастанию плотности тока (рис. 11.5, область III).

Термополевая ионизация. При низких температурах, когда донорные уровни заполнены электронами, возможен их перевод в зону проводимости (полупроводник n - типа) за счет одновременного действия тепловой и полевой энергии.

Ударная ионизация. Под действием внешнего поля энергетические зоны

полупроводника наклоняются. Удар-ная ионизация наблюда
 
Е
DE
  Ec     Ev
 
ется
 
в полях (DE≈1эВ, e>5×105 В/см), которые способны сообщить свободному электрону зоны проводимости такую энергию (Е>DE), что отдав ее при столкновении с атомами решетки, он бы ионизовал их (переводил электрон из валентной зоны в зону проводимости), рис. 11.6, переходы 1. Процесс все время повторяется, резко увеличивая концентрацию свободных электронов.

Рис. 11.6

Туннельный механизм. Туннелирование электронов валентной зоны через треугольный потенциальный барьер в зону проводимости, рис.11.6, переходы 2 (DE≈1эВ, e≈106¸107 В/см).

При напряженности электрического поля e³107 В/см, лавинный характер увеличения концентрации носителей заряда сопровождается пробоем полупроводника.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)