АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Физические основы работы светодиодов

Читайте также:
  1. A. Минимальный запас для одной ТТ на один день работы - не менее 50 бутылок
  2. A. Учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов
  3. I. Задания для самостоятельной работы
  4. I. Задания для самостоятельной работы
  5. II. Время начала и окончания работы
  6. II. Порядок формирования экспертных групп, организация экспертизы заявленных на Конкурс проектов и регламент работы Конкурсной комиссии
  7. II. СТРУКТУРА КВАЛИФИКАЦИОННОЙ РАБОТЫ
  8. III. Задания для работы в малых группах.
  9. III. Задания для самостоятельной работы
  10. III. ОФОРМЛЕНИЕ КВАЛИФИКАЦИОННОЙ РАБОТЫ
  11. P-N переход принцип работы полупроводникового диода.
  12. Verifying Functionality using Behavioral Simulation (верификация функциональности за счет использования моделирования поведения (работы).

 

Светодиод представляет собой специально подобранный p-n переход, включенный в прямом направлении, рис 15.5.

В таком переходе из-за сильной инжекции электронов в p-область и дырок в n-область происходит рекомбинация носителей заряда как в области объемного заряда, так и за ней на расстоянии диффузионных длин электронов (L1) и дырок (L2). Вспомним, что диффузионной длиной называется расстояние, на котором концентрация носителей уменьшается в е раз. Для получения излучения в полупроводник вводят центры свечения, обычно излучающей является одна из сторон p-n перехода. Большое распространение получили зеленые светодиоды из GaP с примесью азота и красные GaP:Zn,O, обладающие яркостью 50-100 кд/м2 и работающие при прямом напряжении 3-5 В.

Для изготовления инжекционных лазеров в светодиодах осуществляют мощное впрыскивание электронов и дырок, способное создать инверсию населенности энергетических уровней, а противоположные грани образца приготавливают в виде зеркал.

В качестве некогерентных источников света в оптоэлектронике (термин, введенный в 1960-х годах, когда появились оптроны, в которых для создания надежных гальванических развязок между электронными цепями, использовались пары: светодиод-приемник излучения) обычно используют светодиоды, когерентными источниками излучения служат инжекционные лазеры. С твердотельными лазерами мы постоянно сталкиваемся в нашей университетской жизни, это — лазерная указка преподавателя, лазерный принтер, компакт-диски в компьютере и т.д. Оптрон Вы можете непосредственно увидеть, открыв крышку управляющей “мышки” компьютера.



1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)