АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Дефекты кристаллической решетки

Читайте также:
  1. Влияние периодичности решетки на электронные состояния. Зонная модель
  2. Глава 5. Кристаллическая решетка Земли и решетки-паразиты
  3. Глава 7. Хозяева решетки
  4. Дефекты изделия и способы их устранения
  5. Дефекты кристаллического строения металлов. Точечные дефекты. Краевая и винтовая дислокации. Вектор Бюргерса. Плотность дислокаций.
  6. Дефекты окраски, причина, устранение.
  7. Дефекты при закалке.
  8. Дефекты соленой, пряной и маринованной рыбы
  9. Дефекты фасадной штукатурки.
  10. Дефекты хлебобулочных изделий
  11. Дефекты штукатурки

Дефекты кристаллической решетки можно в основном разделить на три группы: точечные, линейные и поверхностные.

1. Точечные

В определенных условиях атомы могут покидать кристаллическую решетку, образуя вакансии-дефекты по Шоттки, рис 8.6(1). Энергия образования вакансии E V » 1 эВ.

Равновесное число таких дефектов определяется соотношением

, (8.14)

где - число узлов кристаллической решетки в данном объеме (атомы одного сорта).

Возможен и переход атомов в междоузельные положения с генерацией так называемых дефектов Френкеля. Энергия образования таких дефектов Ei обычно больше, чем дефектов Шотки. Равновесное число дефектов Френкеля описывается соотношением

, (8.15)

где - число междоузельных позиций в исследуемом объеме.

Точечные дефекты образует также примесь внедрения и замещения. Дефекты основного вещества могут перемещаться, такой процесс называется самодиффузией. Введение примеси путем диффузии называется легированием, путем облучения материала ионами - ионной имплантацией.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)