|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Поглощение света в твердых телахСвет, попадая в твердое тело, вступает с ним во взаимодействие, связанное с обменом энергии. Часть энергии излучения поглощается и идет на увеличение энергии электронов или фотонов (теплового движения атомов). Поглощение света в твердом теле происходит в соответствии с законом Бугера-Ламберта: (3.47) где R - коэффициент отражения; Ф(х) - поток световой энергии на расстоянии х от поверхности (вдоль луча); ФО - падающий на поверхность поток световой энергии; α - коэффициент поглощения. Обратная ему величина численно равна толщине слов, при прохождении через который интенсивность света уменьшается в е раз. Зависимость коэффициента поглощения от частоты α(ν) или от длины волны α(λ) называется спектром поглощения тела. Виды поглощения в полупроводниках: - собственное (фундаментальное). поглощение света приводит к переходу электрона из связанного состояния в свободное, т.е. из валентной зоны в зону проводимости. Собственное поглощение возможно при условии , где Ез - ширина запрещенной зоны полупpoводника. Оно наблюдаетсв в видимой и ближней инфракрасной областях в зависимости от ширины запрещенной зоны; - примесное поглощение вызвано ионизацией атомов примеси, т.е. переходом электронов от атома примеси в зону проводимости или из валентной зоны на уровни пpимеси. Концентрация пpимесных атомов на несколько порядков ниже концентрации собственных атомов решетки, поэтому интенсивность примесного поглощения света гораздо ниже собственного; - поглощение свободными носителями заряда обусловлено их движением под действием электрических полей световой волны, которая отдает часть своей энергии на ускорение свободных носителей, что приводит к ее ослаблению; - фононное (решеточное) поглощение обусловлено взаимодействием световой волны с колебаниями кристаллической решетки тела (фононами), при котором изменяется число оптических фотонов; - экситонное поглощение вызвано образованием экситона (связанной пары электрон-дырка). Из-за нейтральности экситона изменения электрических свойств тела не происходит. В основе работы фотоприемников, как правило, используется эффект собственного поглощения. (В некоторых случаях, например, для расширения спектральной характеристики в длинноволновой области используют примесное поглощение.)
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |