АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Изменение сопротивления в магнитном поле

Читайте также:
  1. IV. ГРУППА УПРАЖНЕНИЙ – ИЗМЕНЕНИЕ ФОКУСНОГО РАССТОЯНИЯ
  2. Автоматическое регулирование температуры печей сопротивления
  3. Анализ влияния инвестиционных проектов и нововведений на изменение обобщающих показателей эффективности производственной деятельности предприятия
  4. АНАЛИЗ СОПРОТИВЛЕНИЯ
  5. В мгновенном периоде рынок стабилизируется через изменение рыночной цены.
  6. Ввод, индикация, и изменение содержимого памяти
  7. Влияющие на изменение себестоимости
  8. Внутренняя энергия тела и способы её изменения. Изменение внутренней энергии тела при нагревании. Первое начало термодинамики. Обратимые и необратимые процессы.
  9. Вопрос 45 Магнетики в магнитном поле
  10. Вопрос – 17 Изменение границ мо.
  11. Вращение рамки в магнитном поле
  12. Второй этап контроля: анализ влияния факторов на изменение показателя взаимодействия

У всех металлов и полупроводников, кроме ферромагнетиков, удельное сопротивление ρ возрастает при включении магнитного поля. При комнатных температурах для различных металлов и хорошо проводящих полупроводников при протекании электрического тока возникают магнитные поля Н´~ 8∙106 - 8∙107 А/м, а для плохо проводящих полупроводников - Н´ ~ 8∙108 - 8∙109 А/м. В обычных для физического эксперимента полях Н´ < 8∙105 А/м при комнатных температурах изменение удельного сопротивления ∆ρ/ρ большинства металлов крайне незначительно. Так, у меди при Н = 2,4∙106 А/м ∆ρ/ρ ~ 10-4. Исключение составляет висмут, у которого при Н = 1,6∙106 А/м ∆ρ/ρ ~ 200%. Это используется для измерения магнитных полей. У полупроводников ∆ρ/ρ может составлять ~ 1. Так, у германия при температуре 90 К и Н = 4∙106 А/м ∆ρ/ρ ~ 10-4. Исключение составляет висмут, у которого при Н = 1,46∙106 А/м ∆ρ/ρ = 300%.

Впервые существенное изменение сопротивления проводящих кристаллов под действием внешнего магнитного поля было получено П.Л. Капицей в 1927 г. (в будущем лауреат Нобелевской премии), который использовал импульсные магнитные поля в 107 и 108 А/м. В этом случае ∆ρ/ρ для металлов составляло несколько десятков процентов.

На рис. 165 в качестве примера приведены изотермы относительного изменения сопротивления кадмия (Cd) в поперечном магнитном поле, полученные П.Л. Капицей. Анализ экспериментальных кривых показывает, что при сравнительно малых полях, создаваемых электрическим током ∆ρ/ρ ~ Н2, а при сильных полях ∆ρ/ρ ~ Н. особенно сильно эффект возрастания удельного сопротивления сказывается при низких температурах.

Обычно предполагалось, что действие магнитного поля сводится к тому, что траектория свободных электрических зарядов носителей тока искривляется, и направление их движения отклоняется от первоначального на некоторый угол. Вследствие этого на основании электронной теории Друде-Лоренца электросопротивление растет на величину изменения длины свободного пробега. В этой связи при слабых внешних магнитных полях электрическое сопротивление растет пропорционально квадрату напряженности приложенного магнитного поля, а при сильных внешних магнитных полях электрическое сопротивление растет линейно от приложенной напряженности внешнего магнитного поля.

На основании представлений о движении электронов в проводнике, предполагающих одинаковую скорость и одинаковую длину свободного пробега у всех электронов, ни поперечное, ни тем более продольное внешнее магнитное поле не должно приводить к изменению электрического сопротивления исследуемого кристалла того или иного металла. Поперечное к электрическому полю ускорение, вызванное магнитным полем, полностью компенсируется электрическим полем эффекта Холла, и, следовательно, пути электронов остаются не искаженными магнитным полем, а электросопротивление – неизменным. Привлечение анизотропии свойств кристаллов и максвелловский разброс скоростей существенно ничего не изменит. Рассмотрим эффект изменения электрического сопротивления во внешних магнитных полях с точки зрения распространения электромагнитных волн, которые создают электрический ток.

Учитывая равенство по абсолютной величине нормальной и тангенциальной составляющих электрического поля при протекании электрического тока, на внешней поверхности 1 (см. рис.163) Еn - Ех = Еτ - ∆ Еτ, а для поверхности 2 Еn + Ех = Еτ + ∆ Еτ. Как из первого равенства, так и из второго следует, что изменение тангенциальной напряженности электрического поля равно напряженности поля Холла:

∆ Еτ = Ех.

Для изменения поглощенной энергии проводником в соответствии с вектором Умова-Пойнтинга и законом Ома получаем:

 

Здесь S = bd – сечение исследуемого кристалла.

На основании (13.9) с учетом (13.4) изменение электрического сопротивления равно

 

Поделим (13.10) на электрическое сопротивление проводника и учтем закон Ома

 

При В << B´ реализуется линейная зависимость относительного изменения сопротивления от внешнего приложенного магнитного поля В, т.е.

 

 

При В >> В´ возникает квадратичная зависимость относительного изменения удельного сопротивления от внешнего приложенного магнитного поля. На основании (13.11)

 

 

Чем больше удельное сопротивление, тем выше общее сопротивление проводника. Электрический ток при заданном внешнем приложенном напряжении меньше и, соответственно, меньше магнитная индукция В´. В этом случае квадратичная зависимость будет сказываться при меньшем значении внешнего приложенного магнитного поля В.

Так как в проводниках относительная диэлектрическая проницаемость по экспоненте уменьшается с ростом температуры (см. 3.15), то относительное удельное сопротивление также резко уменьшается с температурой, что и подтверждается на опыте (см. рис.164). При малых температурах энергия ионизации кластера (~ 1 эВ) сдерживает заметное изменение относительной диэлектрической проницаемости проводника, и поэтому увеличение удельного сопротивления обусловлено в основном влиянием приложенного магнитного поля. В этом случае реализуется резкая квадратичная зависимость от напряженности магнитного поля. Конкретные расчеты экспериментальных данных произвести не представляется возможным, так как неизвестно какие были использованы падения напряжения на исследуемых проводниках и какие при этом были реализованы электрические токи. Например, для медного проводника на основании (13.12) имеем:

 

 

При Н = 2,4∙106 А/м и U = 1 В ∆ρ/ρ ~ 2,7∙10-2, а при U = 100 В получаем ∆ρ/ρ ~ 10-4 как это было получено экспериментально.

С позиций протекания электрического тока по проводникам вследствие распространения электромагнитных волн рассмотрим термомагнитные явления.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)